K9DUGY8S7M vs K9PKGY8S7M-CCK0 比較

詳細な並列比較: K9DUGY8S7M メーカー: Samsung Electronics および K9PKGY8S7M-CCK0 メーカー: Samsung Electronics。主要仕様、電気的特性、パッケージ、ライフサイクルステータス、価格、在庫状況を比較して、設計要件に最適な部品を判断してください。

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K9DUGY8S7M K9DUGY8S7M - Samsung V-NAND Flash Memory | Samsung Electronics

K9DUGY8S7M - Samsung V-NAND Flash Memory | Samsung Electronics

K9DUGY8S7M ✓ 生産中
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K9PKGY8S7M-CCK0 K9PKGY8S7M-CCK0 - 128Gb 3D V-NAND MLC Flash | Samsung

K9PKGY8S7M-CCK0 - 128Gb 3D V-NAND MLC Flash | Samsung

K9PKGY8S7M-CCK0 ✓ 生産中

仕様比較

パラメータ K9DUGY8S7M K9PKGY8S7M-CCK0
ブランド Samsung Electronics Samsung Electronics
カテゴリ Memory ICs Memory ICs
ライフサイクル状態 有効 有効
在庫状況 In Stock In Stock
単価(USD) $0.00 $9.40
Manufacturer Samsung Electronics Samsung Electronics
メモリタイプ NAND Flash (V-NAND, 3D) NAND Flash
Family K9DUG-series NAND —
Density [DATA_NEEDED: density] —
メモリ構成 [DATA_NEEDED: organization] —
電源電圧 [DATA_NEEDED: supply voltage] [DATA_NEEDED: supply voltage]
インターフェースタイプ [DATA_NEEDED: interface type] —
Page Size [DATA_NEEDED: page size] [DATA_NEEDED: page size]
Block Size [DATA_NEEDED: block size] [DATA_NEEDED: block size]
Program/Erase Cycles [DATA_NEEDED: p/e cycles] [DATA_NEEDED: P/E cycle endurance]
Access Time / tR [DATA_NEEDED: access time] —
パッケージ [DATA_NEEDED: package code] BGA
実装タイプ Surface Mount Surface Mount
動作温度 [DATA_NEEDED: operating temperature] [DATA_NEEDED: operating temperature range]
RoHS ステータス Compliant Lead free / RoHS compliant
MSLレベル [DATA_NEEDED: MSL level] —
Memory Capacity — 128 Gb (16 GB)
Cell Architecture — 3D V-NAND, MLC (2 bits/cell)
V-NAND Layers — 24 layers
インターフェース — Asynchronous/toggle-mode NAND bus (per Samsung V-NAND family)
Application Domain — Enterprise SSD (e.g., Samsung 845DC Pro)
Access Time (tR) — [DATA_NEEDED: read cycle time]
Data Retention — [DATA_NEEDED: retention specification]

データシート&リソース

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