K9KUGY8J7C-BCK0 vs K9JUGY8J5C-CCK0 比較

詳細な並列比較: K9KUGY8J7C-BCK0 メーカー: Samsung Electronics および K9JUGY8J5C-CCK0 メーカー: Samsung Electronics。主要仕様、電気的特性、パッケージ、ライフサイクルステータス、価格、在庫状況を比較して、設計要件に最適な部品を判断してください。

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K9KUGY8J7C-BCK0 K9KUGY8J7C-BCK0 - 1Tb TLC NAND Flash Memory | Samsung Electronics

K9KUGY8J7C-BCK0 - 1Tb TLC NAND Flash Memory | Samsung Electronics

K9KUGY8J7C-BCK0 ✓ 生産中
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K9JUGY8J5C-CCK0 K9JUGY8J5C-CCK0 - 1Tb TLC V-NAND Flash | Samsung

K9JUGY8J5C-CCK0 - 1Tb TLC V-NAND Flash | Samsung

K9JUGY8J5C-CCK0 ✓ 生産中

仕様比較

パラメータ K9KUGY8J7C-BCK0 K9JUGY8J5C-CCK0
ブランド Samsung Electronics Samsung Electronics
カテゴリ Memory ICs Memory ICs
ライフサイクル状態 有効 有効
在庫状況 In Stock In Stock
単価(USD) $9.55 $7.60
メモリタイプ NAND Flash (TLC V-NAND) NAND Flash - V-NAND (TLC)
Density 1 Tb 1 Tb (128 GB)
メモリ構成 [DATA_NEEDED: page/block organization] [DATA_NEEDED: page/block organization]
Cell Type TLC (3 bits/cell) TLC (Triple-Level Cell)
インターフェースタイプ [DATA_NEEDED: toggle DDR / ONFI mode] —
Supply Voltage (VCC) [DATA_NEEDED: VCC range in V] [DATA_NEEDED: VCC range]
Supply Voltage (VCCQ) [DATA_NEEDED: VCCQ range in V] [DATA_NEEDED: VCCQ range]
Page Size [DATA_NEEDED: page size in KB] —
Block Size [DATA_NEEDED: block size] —
Program/Erase Cycles [DATA_NEEDED: P/E endurance] —
Package Type BGA —
Package Code [DATA_NEEDED: package code / ball count] —
動作温度 [DATA_NEEDED: temperature range in C] [DATA_NEEDED: temperature range]
実装タイプ Surface Mount Surface Mount
RoHS ステータス Compliant [DATA_NEEDED: RoHS status]
Grade Suffix BCK0 —
Manufacturer Samsung Electronics Samsung Electronics
Technology Generation — V6 (6th-gen V-NAND, 128-layer)
インターフェース — [DATA_NEEDED: toggle/ONFI mode]
パッケージ — [DATA_NEEDED: BGA package code and dimensions]
Read Latency — [DATA_NEEDED: tR]
Program Time — [DATA_NEEDED: tPROG]
Endurance (P/E cycles) — [DATA_NEEDED: rated P/E cycles]
MSLレベル — [DATA_NEEDED: moisture sensitivity level]

データシート&リソース

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