M29F160FT55N3F2 vs M29F800FB55N3F2 比較

詳細な並列比較: M29F160FT55N3F2 メーカー: Micron Technology および M29F800FB55N3F2 メーカー: Micron Technology。主要仕様、電気的特性、パッケージ、ライフサイクルステータス、価格、在庫状況を比較して、設計要件に最適な部品を判断してください。

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M29F160FT55N3F2 M29F160FT55N3F2 - 16Mbit 5V 55ns NOR Flash | Micron Technology

M29F160FT55N3F2 - 16Mbit 5V 55ns NOR Flash | Micron Technology

M29F160FT55N3F2 ✓ 生産中
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M29F800FB55N3F2 M29F800FB55N3F2 - 8Mbit 5V Parallel NOR Flash 55ns | Micron

M29F800FB55N3F2 - 8Mbit 5V Parallel NOR Flash 55ns | Micron

M29F800FB55N3F2 ✓ 生産中

仕様比較

パラメータ M29F160FT55N3F2 M29F800FB55N3F2
ブランド Micron Technology Micron Technology
カテゴリ Flash Memory ICs
ライフサイクル状態 有効 有効
在庫状況 In Stock In Stock
単価(USD) $4.90 $2.47
メモリタイプ NOR Flash (Parallel, Asynchronous) —
Density 16 Mbit (16777 kbits) —
メモリ構成 1M x 16 / 2M x 8 1M x 8 / 512K x 16
Number of Words 1000 k —
Bits per Word 16 bits —
Access Time 55 ns 55 ns
Supply Voltage (VCC) 5 V (operating 4.5 V) —
インターフェース Parallel —
Synchronous / Asynchronous Asynchronous —
Boot Block Location Top boot block (FT) —
動作温度 -40C to +125C -40C to +125C
パッケージ 48-Pin TSOP —
実装タイプ Surface Mount Surface Mount
Packaging Tape & Reel Tape & Reel (T/R)
Program / Erase Embedded byte/word program algorithms (controller on-chip) —
RoHS ステータス [DATA_NEEDED: RoHS status] Compliant (lead-free terminations)
MSLレベル [DATA_NEEDED: moisture sensitivity level] —
Memory Density — 8389 kbits (8 Mbit)
電源電圧 — 5 V
インターフェースタイプ — Parallel NOR
Boot Block Architecture — Bottom Boot Block
Program/Erase Controller — Embedded byte/word program algorithms
Temperature Grade — Automotive (AEC-Q100)
Package Type — 48-pin TSOP1
Package Shape — Rectangular (JESD designation TSOP1)
Terminal Count — 48
JESD-609 Termination Code — e3 (lead-free)

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