M29F160FT55N3F2 vs M29F800FB55N3F2 비교

다음의 상세 나란히 비교: M29F160FT55N3F2 제조: Micron Technology 및 M29F800FB55N3F2 제조: Micron Technology. 주요 사양, 전기적 파라미터, 패키징, 수명 주기 상태, 가격 및 재고를 비교하여 설계 요구 사항에 가장 적합한 부품을 결정하십시오.

Micron Technology
M29F160FT55N3F2 M29F160FT55N3F2 - 16Mbit 5V 55ns NOR Flash | Micron Technology

M29F160FT55N3F2 - 16Mbit 5V 55ns NOR Flash | Micron Technology

M29F160FT55N3F2 ✓ 활성
Micron Technology
M29F800FB55N3F2 M29F800FB55N3F2 - 8Mbit 5V Parallel NOR Flash 55ns | Micron

M29F800FB55N3F2 - 8Mbit 5V Parallel NOR Flash 55ns | Micron

M29F800FB55N3F2 ✓ 활성

사양 비교

파라미터 M29F160FT55N3F2 M29F800FB55N3F2
브랜드 Micron Technology Micron Technology
카테고리 Flash Memory ICs
수명 주기 상태 활성 활성
재고 상태 In Stock In Stock
단가 (USD) $4.90 $2.47
메모리 유형 NOR Flash (Parallel, Asynchronous) —
Density 16 Mbit (16777 kbits) —
메모리 구성 1M x 16 / 2M x 8 1M x 8 / 512K x 16
Number of Words 1000 k —
Bits per Word 16 bits —
Access Time 55 ns 55 ns
Supply Voltage (VCC) 5 V (operating 4.5 V) —
인터페이스 Parallel —
Synchronous / Asynchronous Asynchronous —
Boot Block Location Top boot block (FT) —
동작 온도 -40C to +125C -40C to +125C
패키지 48-Pin TSOP —
실장 유형 Surface Mount Surface Mount
Packaging Tape & Reel Tape & Reel (T/R)
Program / Erase Embedded byte/word program algorithms (controller on-chip) —
RoHS 상태 [DATA_NEEDED: RoHS status] Compliant (lead-free terminations)
MSL 레벨 [DATA_NEEDED: moisture sensitivity level] —
Memory Density — 8389 kbits (8 Mbit)
공급 전압 — 5 V
인터페이스 유형 — Parallel NOR
Boot Block Architecture — Bottom Boot Block
Program/Erase Controller — Embedded byte/word program algorithms
Temperature Grade — Automotive (AEC-Q100)
Package Type — 48-pin TSOP1
Package Shape — Rectangular (JESD designation TSOP1)
Terminal Count — 48
JESD-609 Termination Code — e3 (lead-free)

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