M29F200FT55N3F2 vs M29F200FT55M3E2 比較

詳細な並列比較: M29F200FT55N3F2 メーカー: Micron Technology および M29F200FT55M3E2 メーカー: Micron Technology。主要仕様、電気的特性、パッケージ、ライフサイクルステータス、価格、在庫状況を比較して、設計要件に最適な部品を判断してください。

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M29F200FT55N3F2 M29F200FT55N3F2 - 2Mbit 55ns 5V NOR Flash | Micron

M29F200FT55N3F2 - 2Mbit 55ns 5V NOR Flash | Micron

M29F200FT55N3F2 ✓ 生産中
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M29F200FT55M3E2 M29F200FT55M3E2 - 2Mbit 55ns 5V NOR Flash SOIC-44 | Micron

M29F200FT55M3E2 - 2Mbit 55ns 5V NOR Flash SOIC-44 | Micron

M29F200FT55M3E2 ✗ 生産終了

仕様比較

パラメータ M29F200FT55N3F2 M29F200FT55M3E2
ブランド Micron Technology Micron Technology
カテゴリ Memory ICs Memory ICs
ライフサイクル状態 有効 製造終了
在庫状況 In Stock In Stock
単価(USD) $0.00 $3.83
メモリタイプ NOR Flash, Parallel NOR Flash (Parallel)
Density 2 Mbit (2097 kbits) —
メモリ構成 256K x 8-bit / 128K x 16-bit 128K x 16 bits
Supply Voltage (VCC) 5 V 5 V
Access Time 55 ns 55 ns
Number of Words 128 K —
Bits per Word 16 bits —
Boot Block Architecture Top Boot Block Top Boot Block
Program/Erase Embedded byte/word program algorithms —
動作温度 -40C to +125C -40C to +125C
パッケージ 48-pin TSOP —
実装タイプ Surface Mount Surface Mount
インターフェース Parallel, BYTE pin selects 8/16-bit bus Parallel
Packaging Tape & Reel (TR suffix) —
RoHS ステータス [DATA_NEEDED: RoHS status] unknown
MSLレベル [DATA_NEEDED: moisture sensitivity level] —
メモリサイズ — 2 Mbit (2097 kbits)
Program / Erase Controller — Embedded byte/word program algorithms
Package Type — 44-SO (SOP-44)
Memory Cell Type — SLC (Single-Level Cell)
Erase Block Structure — Boot block sector architecture
Programming Mode — Byte / Word
Status Signaling — Data polling / toggle bit
ライフサイクル状態 — End of Life (EOL) - last-time-buy / broker market

データシート&リソース

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