M29F200FT55N3F2 vs M29F200FT55M3E2 Сравнение

Подробное сравнение бок о бок M29F200FT55N3F2 от Micron Technology и M29F200FT55M3E2 от Micron Technology. Сравните ключевые характеристики, электрические параметры, упаковку, статус жизненного цикла, цены и наличие, чтобы выбрать лучший компонент для ваших требований.

Micron Technology
M29F200FT55N3F2 M29F200FT55N3F2 - 2Mbit 55ns 5V NOR Flash | Micron

M29F200FT55N3F2 - 2Mbit 55ns 5V NOR Flash | Micron

M29F200FT55N3F2 ✓ Активен
Micron Technology
M29F200FT55M3E2 M29F200FT55M3E2 - 2Mbit 55ns 5V NOR Flash SOIC-44 | Micron

M29F200FT55M3E2 - 2Mbit 55ns 5V NOR Flash SOIC-44 | Micron

M29F200FT55M3E2 ✗ Снят с производства

Сравнение характеристик

Параметр M29F200FT55N3F2 M29F200FT55M3E2
Бренд Micron Technology Micron Technology
Категория Memory ICs Memory ICs
Статус жизненного цикла Активен Снято с производства
Наличие In Stock In Stock
Цена за единицу (USD) $0,00 $3,83
Тип памяти NOR Flash, Parallel NOR Flash (Parallel)
Density 2 Mbit (2097 kbits) —
Организация памяти 256K x 8-bit / 128K x 16-bit 128K x 16 bits
Supply Voltage (VCC) 5 V 5 V
Access Time 55 ns 55 ns
Number of Words 128 K —
Bits per Word 16 bits —
Boot Block Architecture Top Boot Block Top Boot Block
Program/Erase Embedded byte/word program algorithms —
Рабочая температура -40C to +125C -40C to +125C
Корпус 48-pin TSOP —
Тип монтажа Surface Mount Surface Mount
Интерфейс Parallel, BYTE pin selects 8/16-bit bus Parallel
Packaging Tape & Reel (TR suffix) —
Статус RoHS [DATA_NEEDED: RoHS status] unknown
Уровень MSL [DATA_NEEDED: moisture sensitivity level] —
Размер памяти — 2 Mbit (2097 kbits)
Program / Erase Controller — Embedded byte/word program algorithms
Package Type — 44-SO (SOP-44)
Memory Cell Type — SLC (Single-Level Cell)
Erase Block Structure — Boot block sector architecture
Programming Mode — Byte / Word
Status Signaling — Data polling / toggle bit
Статус жизненного цикла — End of Life (EOL) - last-time-buy / broker market

Даташиты & ресурсы

Все товары Создать BOM Запросить цену