M29F800FB55M3F2 vs M29F800FB55N3F2 比較

詳細な並列比較: M29F800FB55M3F2 メーカー: Micron Technology および M29F800FB55N3F2 メーカー: Micron Technology。主要仕様、電気的特性、パッケージ、ライフサイクルステータス、価格、在庫状況を比較して、設計要件に最適な部品を判断してください。

Micron Technology
M29F800FB55M3F2 M29F800FB55M3F2 - 8Mbit 5V 55ns NOR Flash SO44 | Micron

M29F800FB55M3F2 - 8Mbit 5V 55ns NOR Flash SO44 | Micron

M29F800FB55M3F2 ✓ 生産中
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M29F800FB55N3F2 M29F800FB55N3F2 - 8Mbit 5V Parallel NOR Flash 55ns | Micron

M29F800FB55N3F2 - 8Mbit 5V Parallel NOR Flash 55ns | Micron

M29F800FB55N3F2 ✓ 生産中

仕様比較

パラメータ M29F800FB55M3F2 M29F800FB55N3F2
ブランド Micron Technology Micron Technology
カテゴリ Memory ICs Memory ICs
ライフサイクル状態 有効 有効
在庫状況 In Stock In Stock
単価(USD) $3.72 $2.47
メモリタイプ NOR Flash, Parallel —
Density 8389 kbits (8 Mbit) —
メモリ構成 512K x 16-bit / 1M x 8-bit 1M x 8 / 512K x 16
Number of Words 512 k —
Bits per Word 16 bits —
Access Time 55 ns 55 ns
Supply Voltage (VCC) 5 V —
Boot Block Type Bottom Boot Block —
インターフェース Parallel, Asynchronous —
Programming Embedded byte/word program algorithms —
OTP Area 64 byte —
動作温度 -40C to +125C -40C to +125C
Automotive Qualification Auto Grade 3 (temperature grade 3, +125C) —
パッケージ 44-pin SO (SOIC-44) —
実装タイプ Surface Mount Surface Mount
Packing Tape & Reel (T/R) —
RoHS ステータス [DATA_NEEDED: RoHS status] Compliant (lead-free terminations)
Endurance [DATA_NEEDED: program/erase endurance cycles] —
Memory Density — 8389 kbits (8 Mbit)
電源電圧 — 5 V
インターフェースタイプ — Parallel NOR
Boot Block Architecture — Bottom Boot Block
Program/Erase Controller — Embedded byte/word program algorithms
Temperature Grade — Automotive (AEC-Q100)
Package Type — 48-pin TSOP1
Package Shape — Rectangular (JESD designation TSOP1)
Terminal Count — 48
JESD-609 Termination Code — e3 (lead-free)
Packaging — Tape & Reel (T/R)

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