M29F800FB55M3F2 vs M29F800FB55N3F2 비교

다음의 상세 나란히 비교: M29F800FB55M3F2 제조: Micron Technology 및 M29F800FB55N3F2 제조: Micron Technology. 주요 사양, 전기적 파라미터, 패키징, 수명 주기 상태, 가격 및 재고를 비교하여 설계 요구 사항에 가장 적합한 부품을 결정하십시오.

Micron Technology
M29F800FB55M3F2 M29F800FB55M3F2 - 8Mbit 5V 55ns NOR Flash SO44 | Micron

M29F800FB55M3F2 - 8Mbit 5V 55ns NOR Flash SO44 | Micron

M29F800FB55M3F2 ✓ 활성
Micron Technology
M29F800FB55N3F2 M29F800FB55N3F2 - 8Mbit 5V Parallel NOR Flash 55ns | Micron

M29F800FB55N3F2 - 8Mbit 5V Parallel NOR Flash 55ns | Micron

M29F800FB55N3F2 ✓ 활성

사양 비교

파라미터 M29F800FB55M3F2 M29F800FB55N3F2
브랜드 Micron Technology Micron Technology
카테고리 Memory ICs Memory ICs
수명 주기 상태 활성 활성
재고 상태 In Stock In Stock
단가 (USD) $3.72 $2.47
메모리 유형 NOR Flash, Parallel —
Density 8389 kbits (8 Mbit) —
메모리 구성 512K x 16-bit / 1M x 8-bit 1M x 8 / 512K x 16
Number of Words 512 k —
Bits per Word 16 bits —
Access Time 55 ns 55 ns
Supply Voltage (VCC) 5 V —
Boot Block Type Bottom Boot Block —
인터페이스 Parallel, Asynchronous —
Programming Embedded byte/word program algorithms —
OTP Area 64 byte —
동작 온도 -40C to +125C -40C to +125C
Automotive Qualification Auto Grade 3 (temperature grade 3, +125C) —
패키지 44-pin SO (SOIC-44) —
실장 유형 Surface Mount Surface Mount
Packing Tape & Reel (T/R) —
RoHS 상태 [DATA_NEEDED: RoHS status] Compliant (lead-free terminations)
Endurance [DATA_NEEDED: program/erase endurance cycles] —
Memory Density — 8389 kbits (8 Mbit)
공급 전압 — 5 V
인터페이스 유형 — Parallel NOR
Boot Block Architecture — Bottom Boot Block
Program/Erase Controller — Embedded byte/word program algorithms
Temperature Grade — Automotive (AEC-Q100)
Package Type — 48-pin TSOP1
Package Shape — Rectangular (JESD designation TSOP1)
Terminal Count — 48
JESD-609 Termination Code — e3 (lead-free)
Packaging — Tape & Reel (T/R)

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