M29F800FT55M3F2 vs M29F400FT55N3F2 比較

詳細な並列比較: M29F800FT55M3F2 メーカー: Micron Technology および M29F400FT55N3F2 メーカー: Micron Technology。主要仕様、電気的特性、パッケージ、ライフサイクルステータス、価格、在庫状況を比較して、設計要件に最適な部品を判断してください。

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M29F800FT55M3F2 M29F800FT55M3F2 - 8Mbit 5V Parallel NOR Flash 55ns | Micron

M29F800FT55M3F2 - 8Mbit 5V Parallel NOR Flash 55ns | Micron

M29F800FT55M3F2 ✓ 生産中
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M29F400FT55N3F2 M29F400FT55N3F2 - 4Mbit 5V Parallel NOR Flash 55ns | Micron

M29F400FT55N3F2 - 4Mbit 5V Parallel NOR Flash 55ns | Micron

M29F400FT55N3F2 ✓ 生産中

仕様比較

パラメータ M29F800FT55M3F2 M29F400FT55N3F2
ブランド Micron Technology Micron Technology
カテゴリ Memory ICs EEPROM
ライフサイクル状態 有効 有効
在庫状況 In Stock In Stock
単価(USD) $2.10 $1.51
メモリタイプ Parallel NOR Flash NOR Flash (SLC)
Density 8 Mbit (8389 kbits) —
メモリ構成 512K x 16 / 1M x 8 256K x 16
Access Time 55 ns 55 ns
Supply Voltage (VCC) 5 V —
Boot Block Position Top boot block —
Programming Interface Embedded program/erase controller —
動作温度 -40C to +125C [DATA_NEEDED: min operating temperature]
パッケージ 44-pin SO (SOP) 44-SO (SOP-44)
実装タイプ Surface Mount Surface Mount
Packaging Tape & Reel (TR) —
インターフェース Parallel, x8/x16 selectable Parallel
Standby Current [DATA_NEEDED: standby current] —
Program/Erase Endurance [DATA_NEEDED: endurance cycles] [DATA_NEEDED: endurance cycles]
RoHS ステータス Compliant (lead-free suffix F2) —
メモリサイズ — 4 Mbit
電源電圧 — 5 V
Block Architecture — Top boot block
Temperature Grade — Auto Grade 3, up to +125C (per Micron ordering code)
Compliance Suffix — F2 (RoHS-compliant, lead-free plating)
Programming Voltage — Single supply (no 12 V VPP required)
Technology — Floating-gate NOR cell, charge-pump program/erase
Max Standby Current — [DATA_NEEDED: standby current]

データシート&リソース

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