M29F800FT55N3F2 vs M29F160FT55N3F2 比較

詳細な並列比較: M29F800FT55N3F2 メーカー: Micron Technology および M29F160FT55N3F2 メーカー: Micron Technology。主要仕様、電気的特性、パッケージ、ライフサイクルステータス、価格、在庫状況を比較して、設計要件に最適な部品を判断してください。

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M29F800FT55N3F2 M29F800FT55N3F2 - 8Mbit 5V NOR Flash 55ns | Micron

M29F800FT55N3F2 - 8Mbit 5V NOR Flash 55ns | Micron

M29F800FT55N3F2 ✓ 生産中
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M29F160FT55N3F2 M29F160FT55N3F2 - 16Mbit 5V 55ns NOR Flash | Micron Technology

M29F160FT55N3F2 - 16Mbit 5V 55ns NOR Flash | Micron Technology

M29F160FT55N3F2 ✓ 生産中

仕様比較

パラメータ M29F800FT55N3F2 M29F160FT55N3F2
ブランド Micron Technology Micron Technology
カテゴリ Memory ICs Flash
ライフサイクル状態 有効 有効
在庫状況 In Stock In Stock
単価(USD) $0.78 $4.90
メモリタイプ NOR Flash, Parallel NOR Flash (Parallel, Asynchronous)
メモリサイズ 8 Mbit —
メモリ構成 1M x 8 bit / 512K x 16 bit 1M x 16 / 2M x 8
電源電圧 5 V (single supply) —
Access Time 55 ns 55 ns
インターフェース Parallel Parallel
Boot Block Architecture Top boot block (T) —
Programming Voltage 5.0 V VCC (no 12 V VPP required) —
パッケージ 48-pin TSOP 48-Pin TSOP
実装タイプ Surface Mount Surface Mount
Packaging Tape & Reel (T/R) Tape & Reel
動作温度 [DATA_NEEDED: operating temperature range] -40C to +125C
Erase Block Size [DATA_NEEDED: block size] —
Data Retention [DATA_NEEDED: data retention] —
Program/Erase Cycles [DATA_NEEDED: endurance cycles] —
RoHS ステータス [DATA_NEEDED: RoHS status] [DATA_NEEDED: RoHS status]
Active Read Current [DATA_NEEDED: ICC read] —
Density — 16 Mbit (16777 kbits)
Number of Words — 1000 k
Bits per Word — 16 bits
Supply Voltage (VCC) — 5 V (operating 4.5 V)
Synchronous / Asynchronous — Asynchronous
Boot Block Location — Top boot block (FT)
Program / Erase — Embedded byte/word program algorithms (controller on-chip)
MSLレベル — [DATA_NEEDED: moisture sensitivity level]

データシート&リソース

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