M29W160EB80ZA3SE vs M29W800FT70ZA3SE 比較

詳細な並列比較: M29W160EB80ZA3SE メーカー: Micron Technology および M29W800FT70ZA3SE メーカー: Micron Technology。主要仕様、電気的特性、パッケージ、ライフサイクルステータス、価格、在庫状況を比較して、設計要件に最適な部品を判断してください。

Micron Technology
M29W160EB80ZA3SE M29W160EB80ZA3SE - 16Mb NOR Flash 80ns TFBGA-48 | Micron

M29W160EB80ZA3SE - 16Mb NOR Flash 80ns TFBGA-48 | Micron

M29W160EB80ZA3SE ✓ 生産中
Micron Technology
M29W800FT70ZA3SE M29W800FT70ZA3SE - 8Mbit 70ns NOR Flash | Micron | Embedded

M29W800FT70ZA3SE - 8Mbit 70ns NOR Flash | Micron | Embedded

M29W800FT70ZA3SE ✓ 生産中

仕様比較

パラメータ M29W160EB80ZA3SE M29W800FT70ZA3SE
ブランド Micron Technology Micron Technology
カテゴリ Memory ICs EEPROM
ライフサイクル状態 有効 有効
在庫状況 In Stock In Stock
単価(USD) $1.35 $1.38
メモリタイプ NOR Flash (Parallel) NOR Flash (Parallel)
メモリサイズ 16 Mbit (2M x8 / 1M x16) 8 Mbit
Access Time 80 ns 70 ns
インターフェース Parallel (Byte-wide / Word-wide) Parallel
電源電圧 2.7 V to 3.6 V 2.7 V to 3.6 V
メモリ構成 16 Mbit Boot Block, x8/x16 selectable 512K x 16
動作温度 -40C to +125C -40C to +125C
パッケージ 48-TFBGA (6x8 mm, 0.8 mm ball pitch) 48-TFBGA (6x8 mm)
実装タイプ Surface Mount (BGA) Surface Mount
Packaging Tape & Reel (TR) —
Qualification AEC-Q100 (automotive grade per datasheets.com listing) —
Programming Supply Single 3V supply for program, erase and read —
Technology Family M29W160EB (3rd generation M29W series) —
Data Retention [DATA_NEEDED: data retention] —
Erase Block Architecture Boot block (parameter and main blocks) —
Program/Erase Cycles [DATA_NEEDED: program/erase endurance cycles] [DATA_NEEDED: endurance]
Moisture Sensitivity Level [DATA_NEEDED: MSL level] —
RoHS ステータス Pb-free (SE suffix) [DATA_NEEDED: RoHS status]
Technology — SLC
Programming Interface — CFI command set
Boot Block Architecture — Top boot (FT = top boot block)
Density — 8 Mb
FBGA Code — [DATA_NEEDED: FBGA code]
Chipset Validation — N/A

データシート&リソース

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