M29W800FB70N3E vs M29W800FT70N3E 比較

詳細な並列比較: M29W800FB70N3E メーカー: Micron Technology および M29W800FT70N3E メーカー: Micron Technology。主要仕様、電気的特性、パッケージ、ライフサイクルステータス、価格、在庫状況を比較して、設計要件に最適な部品を判断してください。

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M29W800FB70N3E M29W800FB70N3E - 8Mbit 3V Parallel NOR Flash 70ns | Micron

M29W800FB70N3E - 8Mbit 3V Parallel NOR Flash 70ns | Micron

M29W800FB70N3E ✓ 生産中
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M29W800FT70N3E M29W800FT70N3E - 8Mbit 70ns Parallel NOR Flash | Micron

M29W800FT70N3E - 8Mbit 70ns Parallel NOR Flash | Micron

M29W800FT70N3E ✓ 生産中

仕様比較

パラメータ M29W800FB70N3E M29W800FT70N3E
ブランド Micron Technology Micron Technology
カテゴリ Memory ICs Flash
ライフサイクル状態 有効 有効
在庫状況 In Stock In Stock
単価(USD) $0.95 $2.05
メモリタイプ NOR Flash NOR Flash (Parallel)
Density 8 Mbit (8388608 bits) 8 Mbit
メモリ構成 512K x 16 / 1M x 8 1M x 8 / 512K x 16
データバス幅 x8/x16 (BYTE# selectable) —
Access Time 70 ns 70 ns
Supply Voltage (VCC) up to 3.6 V for program, erase and read 2.7 V to 3.6 V
Programming Time 10 us per byte/word (typical) —
Memory Blocks 19 blocks, 1 boot block (bottom - FB configuration) —
インターフェース Parallel Parallel, address/data bus
動作温度 -40C to +125C -40C to +125C
パッケージ 48-TSOP (12 x 20 mm), TSOP I 48-TSOP I (12 x 20 mm, 0.5 mm pitch)
ピン数 48 —
実装タイプ Surface Mount Surface Mount
RoHS ステータス RoHS compliant (plastic TSOP-48) [DATA_NEEDED: RoHS status]
Product Longevity Program No —
FBGA Code N/A —
Chipset Validation N/A —
Programming / Erase Supply — Single supply at VCC (2.7 V to 3.6 V)
Boot Block Location — Top boot block (FT variant)
Bus Width — 8-bit or 16-bit (BYTE pin selectable)
Standby Current — [DATA_NEEDED: standby current]
Program/Erase Endurance — [DATA_NEEDED: program/erase cycles]
Data Retention — [DATA_NEEDED: data retention]
Block Organization — [DATA_NEEDED: block size/organization]

データシート&リソース

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