M29W800FT70ZA3SE vs M29W160EB80ZA3SE 比較

詳細な並列比較: M29W800FT70ZA3SE メーカー: Micron Technology および M29W160EB80ZA3SE メーカー: Micron Technology。主要仕様、電気的特性、パッケージ、ライフサイクルステータス、価格、在庫状況を比較して、設計要件に最適な部品を判断してください。

Micron Technology
M29W800FT70ZA3SE M29W800FT70ZA3SE - 8Mbit 70ns NOR Flash | Micron | Embedded

M29W800FT70ZA3SE - 8Mbit 70ns NOR Flash | Micron | Embedded

M29W800FT70ZA3SE ✓ 生産中
Micron Technology
M29W160EB80ZA3SE M29W160EB80ZA3SE - 16Mb NOR Flash 80ns TFBGA-48 | Micron

M29W160EB80ZA3SE - 16Mb NOR Flash 80ns TFBGA-48 | Micron

M29W160EB80ZA3SE ✓ 生産中

仕様比較

パラメータ M29W800FT70ZA3SE M29W160EB80ZA3SE
ブランド Micron Technology Micron Technology
カテゴリ EEPROM Memory ICs
ライフサイクル状態 有効 有効
在庫状況 In Stock In Stock
単価(USD) $1.38 $1.35
メモリタイプ NOR Flash (Parallel) NOR Flash (Parallel)
メモリサイズ 8 Mbit 16 Mbit (2M x8 / 1M x16)
メモリ構成 512K x 16 16 Mbit Boot Block, x8/x16 selectable
Technology SLC —
Access Time 70 ns 80 ns
インターフェース Parallel Parallel (Byte-wide / Word-wide)
電源電圧 2.7 V to 3.6 V 2.7 V to 3.6 V
動作温度 -40C to +125C -40C to +125C
パッケージ 48-TFBGA (6x8 mm) 48-TFBGA (6x8 mm, 0.8 mm ball pitch)
実装タイプ Surface Mount Surface Mount (BGA)
Programming Interface CFI command set —
Boot Block Architecture Top boot (FT = top boot block) —
Density 8 Mb —
FBGA Code [DATA_NEEDED: FBGA code] —
Chipset Validation N/A —
RoHS ステータス [DATA_NEEDED: RoHS status] Pb-free (SE suffix)
Program/Erase Cycles [DATA_NEEDED: endurance] [DATA_NEEDED: program/erase endurance cycles]
Packaging — Tape & Reel (TR)
Qualification — AEC-Q100 (automotive grade per datasheets.com listing)
Programming Supply — Single 3V supply for program, erase and read
Technology Family — M29W160EB (3rd generation M29W series)
Data Retention — [DATA_NEEDED: data retention]
Erase Block Architecture — Boot block (parameter and main blocks)
Moisture Sensitivity Level — [DATA_NEEDED: MSL level]

データシート&リソース

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