M29W800FT70ZA3SE vs M29W160EB80ZA3SE 비교
다음의 상세 나란히 비교: M29W800FT70ZA3SE 제조: Micron Technology 및 M29W160EB80ZA3SE 제조: Micron Technology. 주요 사양, 전기적 파라미터, 패키징, 수명 주기 상태, 가격 및 재고를 비교하여 설계 요구 사항에 가장 적합한 부품을 결정하십시오.
사양 비교
| 파라미터 | M29W800FT70ZA3SE | M29W160EB80ZA3SE |
|---|---|---|
| 브랜드 | Micron Technology | Micron Technology |
| 카테고리 | EEPROM | Memory ICs |
| 수명 주기 상태 | 활성 | 활성 |
| 재고 상태 | In Stock | In Stock |
| 단가 (USD) | $1.38 | $1.35 |
| 메모리 유형 | NOR Flash (Parallel) | NOR Flash (Parallel) |
| 메모리 크기 | 8 Mbit | 16 Mbit (2M x8 / 1M x16) |
| 메모리 구성 | 512K x 16 | 16 Mbit Boot Block, x8/x16 selectable |
| Technology | SLC | — |
| Access Time | 70 ns | 80 ns |
| 인터페이스 | Parallel | Parallel (Byte-wide / Word-wide) |
| 공급 전압 | 2.7 V to 3.6 V | 2.7 V to 3.6 V |
| 동작 온도 | -40C to +125C | -40C to +125C |
| 패키지 | 48-TFBGA (6x8 mm) | 48-TFBGA (6x8 mm, 0.8 mm ball pitch) |
| 실장 유형 | Surface Mount | Surface Mount (BGA) |
| Programming Interface | CFI command set | — |
| Boot Block Architecture | Top boot (FT = top boot block) | — |
| Density | 8 Mb | — |
| FBGA Code | [DATA_NEEDED: FBGA code] | — |
| Chipset Validation | N/A | — |
| RoHS 상태 | [DATA_NEEDED: RoHS status] | Pb-free (SE suffix) |
| Program/Erase Cycles | [DATA_NEEDED: endurance] | [DATA_NEEDED: program/erase endurance cycles] |
| Packaging | — | Tape & Reel (TR) |
| Qualification | — | AEC-Q100 (automotive grade per datasheets.com listing) |
| Programming Supply | — | Single 3V supply for program, erase and read |
| Technology Family | — | M29W160EB (3rd generation M29W series) |
| Data Retention | — | [DATA_NEEDED: data retention] |
| Erase Block Architecture | — | Boot block (parameter and main blocks) |
| Moisture Sensitivity Level | — | [DATA_NEEDED: MSL level] |