M321R4GA3EB2-CWM vs M321R4GA0PB2-CCP 比較

詳細な並列比較: M321R4GA3EB2-CWM メーカー: Samsung Electronics および M321R4GA0PB2-CCP メーカー: Samsung Electro-Mechanics。主要仕様、電気的特性、パッケージ、ライフサイクルステータス、価格、在庫状況を比較して、設計要件に最適な部品を判断してください。

Samsung Electronics
M321R4GA3EB2-CWM M321R4GA3EB2-CWM - 32GB DDR5-5600 ECC RDIMM | Samsung

M321R4GA3EB2-CWM - 32GB DDR5-5600 ECC RDIMM | Samsung

M321R4GA3EB2-CWM ✓ 生産中
Samsung Electro-Mechanics
M321R4GA0PB2-CCP M321R4GA0PB2-CCP - 32GB DDR5-6400 ECC RDIMM | Samsung

M321R4GA0PB2-CCP - 32GB DDR5-6400 ECC RDIMM | Samsung

M321R4GA0PB2-CCP ✓ 生産中

仕様比較

パラメータ M321R4GA3EB2-CWM M321R4GA0PB2-CCP
ブランド Samsung Electronics Samsung Electro-Mechanics
カテゴリ EEPROM Memory ICs
ライフサイクル状態 有効 有効
在庫状況 In Stock In Stock
単価(USD) $1,260.00 $0.00
Memory Capacity 32 GB —
メモリタイプ DDR5 SDRAM ECC Registered (RDIMM) DDR5 SDRAM
データレート 5600 MT/s (PC5-44800) —
Form Factor 288-pin RDIMM 288-pin DIMM
メモリ構成 2Rx8 (dual rank, x8) 4G x 72
Operating Voltage 1.1 V 1.1 V
CASレイテンシ CL46 CL52
DRAM Composition 20 x 2Gx8 FBGA DRAM components —
Ranks 2 —
Error Correction On-die ECC (ODECC) + registered parity/CRC —
DRAM Die E-die (12nm-class process) —
JEDEC Compliance JEDEC PC5-44800R compliant —
Module Supply 12 V input with on-module PMIC (1.1 V DRAM rail) —
Compatible Platforms Dell PowerEdge, HPE ProLiant, Lenovo ThinkSystem, Supermicro DDR5 servers Dell, HPE, Lenovo ThinkSystem, Supermicro (Xeon / EPYC DDR5 platforms)
RoHS ステータス Compliant —
動作温度 [DATA_NEEDED: operating temperature range] [DATA_NEEDED: operating temperature range]
Peak Bandwidth Approx. 44.8 GB/s per module —
Capacity — 32 GB (1 x 32 GB)
Module Type — 288-pin RDIMM (ECC Registered)
Speed — 6400 MT/s (PC5-51200)
Configuration — 1Rx4 (single rank, x4)
DRAM Devices — 20 x 4G x 4 DDR5 DRAM, FBGA package
ECC — ECC Registered (on-die ECC + side-band)
Bandwidth — 51.2 GB/s peak (PC5-51200)
Rank — Single Rank
Compliance — 100% JEDEC compliant
GTIN / EAN — 4262552150022

データシート&リソース

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