M321R4GA3EB2-CWM vs M321R4GA0PB2-CCP 비교
다음의 상세 나란히 비교: M321R4GA3EB2-CWM 제조: Samsung Electronics 및 M321R4GA0PB2-CCP 제조: Samsung Electro-Mechanics. 주요 사양, 전기적 파라미터, 패키징, 수명 주기 상태, 가격 및 재고를 비교하여 설계 요구 사항에 가장 적합한 부품을 결정하십시오.
Samsung Electro-Mechanics
M321R4GA0PB2-CCP - 32GB DDR5-6400 ECC RDIMM | Samsung
M321R4GA0PB2-CCP ✓ 활성사양 비교
| 파라미터 | M321R4GA3EB2-CWM | M321R4GA0PB2-CCP |
|---|---|---|
| 브랜드 | Samsung Electronics | Samsung Electro-Mechanics |
| 카테고리 | EEPROM | Memory ICs |
| 수명 주기 상태 | 활성 | 활성 |
| 재고 상태 | In Stock | In Stock |
| 단가 (USD) | $1,260.00 | $0.00 |
| Memory Capacity | 32 GB | — |
| 메모리 유형 | DDR5 SDRAM ECC Registered (RDIMM) | DDR5 SDRAM |
| 데이터 속도 | 5600 MT/s (PC5-44800) | — |
| Form Factor | 288-pin RDIMM | 288-pin DIMM |
| 메모리 구성 | 2Rx8 (dual rank, x8) | 4G x 72 |
| Operating Voltage | 1.1 V | 1.1 V |
| CAS 레이턴시 | CL46 | CL52 |
| DRAM Composition | 20 x 2Gx8 FBGA DRAM components | — |
| Ranks | 2 | — |
| Error Correction | On-die ECC (ODECC) + registered parity/CRC | — |
| DRAM Die | E-die (12nm-class process) | — |
| JEDEC Compliance | JEDEC PC5-44800R compliant | — |
| Module Supply | 12 V input with on-module PMIC (1.1 V DRAM rail) | — |
| Compatible Platforms | Dell PowerEdge, HPE ProLiant, Lenovo ThinkSystem, Supermicro DDR5 servers | Dell, HPE, Lenovo ThinkSystem, Supermicro (Xeon / EPYC DDR5 platforms) |
| RoHS 상태 | Compliant | — |
| 동작 온도 | [DATA_NEEDED: operating temperature range] | [DATA_NEEDED: operating temperature range] |
| Peak Bandwidth | Approx. 44.8 GB/s per module | — |
| Capacity | — | 32 GB (1 x 32 GB) |
| Module Type | — | 288-pin RDIMM (ECC Registered) |
| Speed | — | 6400 MT/s (PC5-51200) |
| Configuration | — | 1Rx4 (single rank, x4) |
| DRAM Devices | — | 20 x 4G x 4 DDR5 DRAM, FBGA package |
| ECC | — | ECC Registered (on-die ECC + side-band) |
| Bandwidth | — | 51.2 GB/s peak (PC5-51200) |
| Rank | — | Single Rank |
| Compliance | — | 100% JEDEC compliant |
| GTIN / EAN | — | 4262552150022 |