MHT1008NT1515 vs MHT1008NT1 比較

詳細な並列比較: MHT1008NT1515 メーカー: NXP Semiconductors および MHT1008NT1 メーカー: NXP Semiconductors。主要仕様、電気的特性、パッケージ、ライフサイクルステータス、価格、在庫状況を比較して、設計要件に最適な部品を判断してください。

NXP Semiconductors
MHT1008NT1515 MHT1008NT1515 - 12.5W RF LDMOS 2450MHz ISM N-Channel | NXP

MHT1008NT1515 - 12.5W RF LDMOS 2450MHz ISM N-Channel | NXP

MHT1008NT1515 ✓ 生産中
NXP Semiconductors
MHT1008NT1 MHT1008NT1 - 12.5W RF LDMOS 2450MHz | NXP Semiconductors

MHT1008NT1 - 12.5W RF LDMOS 2450MHz | NXP Semiconductors

MHT1008NT1 ✓ 生産中

仕様比較

パラメータ MHT1008NT1515 MHT1008NT1
ブランド NXP Semiconductors NXP Semiconductors
カテゴリ MOSFETs MOSFETs
ライフサイクル状態 有効 有効
在庫状況 In Stock In Stock
単価(USD) $0.94 $9.55
Manufacturer NXP Semiconductors (formerly Freescale) NXP Semiconductors
Part Number MHT1008NT1515 MHT1008NT1
Device Type RF Power LDMOS Transistor, N-Channel Enhancement-Mode —
Operating Frequency 2450 MHz (ISM band) 2400 MHz to 2500 MHz (2450 MHz typ)
Output Power (CW) 12.5 W 12.5 W
Drain-Source Voltage V(BR)DSS 65 V (minimum) —
Gate Threshold Voltage VGS(th) 1.6 V —
Typical Gain 20.9 dB at 2.45 GHz —
Drain Bias (typical) 28 V —
Total Power Dissipation 48.1 W —
動作接合温度 -40 °C to +150 °C —
パッケージ PLD-1.5W (PLD-1) ceramic flange —
実装タイプ Surface Mount / Flange Mount with heat spreader Chassis / flange mount with bolt-down heatsink
RoHS ステータス Compliant [DATA_NEEDED: rohs_status]
Technology LDMOS (Laterally Diffused MOSFET) —
トランジスタタイプ — LDMOS, N-Channel Enhancement-Mode
Application — RF Power Transistor, ISM Band
Test Frequency — 2450 MHz
Drain Supply Voltage (Vdd) — 28 V (typical)
Power Gain (typical) — 18.6 dB at 2450 MHz
Drain Current — 110 mA
Power Gain (DigiKey reported) — 20.9 dB (max value reported by distributor)
パッケージ / ケース — PLD-1.5W (SOT1811), ceramic flanged
Lead-Free — [DATA_NEEDED: lead_free]
MSL (Moisture Sensitivity Level) — [DATA_NEEDED: msl_level]

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