MRF5S19060MR1 vs MRF5S19060NR1 比較

詳細な並列比較: MRF5S19060MR1 メーカー: NXP Semiconductors および MRF5S19060NR1 メーカー: NXP Semiconductors。主要仕様、電気的特性、パッケージ、ライフサイクルステータス、価格、在庫状況を比較して、設計要件に最適な部品を判断してください。

NXP Semiconductors
MRF5S19060MR1 MRF5S19060MR1 - 12W RF Power MOSFET 1930-1990 MHz TO-270 | NXP

MRF5S19060MR1 - 12W RF Power MOSFET 1930-1990 MHz TO-270 | NXP

MRF5S19060MR1 ✓ 生産中
NXP Semiconductors
MRF5S19060NR1 MRF5S19060NR1 - 1930-1990 MHz 12W RF Power LDMOS | NXP

MRF5S19060NR1 - 1930-1990 MHz 12W RF Power LDMOS | NXP

MRF5S19060NR1 ✓ 生産中

仕様比較

パラメータ MRF5S19060MR1 MRF5S19060NR1
ブランド NXP Semiconductors NXP Semiconductors
カテゴリ MOSFETs RF Transceivers
ライフサイクル状態 有効 有効
在庫状況 In Stock In Stock
単価(USD) $25.60 $17.95
Manufacturer NXP (formerly Freescale Semiconductor) —
Part Number MRF5S19060MR1 —
トランジスタタイプ N-Channel LDMOS RF Power MOSFET LDMOS, N-Channel Enhancement-Mode Lateral MOSFET
Frequency Range 1930 MHz to 1990 MHz 1930 MHz to 1990 MHz
Drain-Source Voltage (Vdss) 65 V (max) —
Drain Current (Id) 750 mA —
Output Power (Pout, avg) 12 W (N-CDMA) —
Output Power (Pout, PEP) 60 W (typical) —
Power Gain (Gps) 14 dB (typical) —
Drain Efficiency (etaD) 45% (typical) —
Operating Voltage 28 V —
パッケージ TO-270 WB-4 (Ceramic) —
実装タイプ Surface Mount / Flange Mount —
Test Signal 2 x N-CDMA —
MSLレベル [DATA_NEEDED: MSL rating] —
RoHS ステータス [DATA_NEEDED: RoHS status] Compliant
Operating Class Class AB —
Output Power (Average) — 12 W
Typical Gain — 14 dB at 1.99 GHz
Drain-Source Voltage (Rated) — 65 V
Test Supply Voltage — 28 V
Test Quiescent Current — 750 mA
パッケージ / ケース — TO-270 WB-4 (over-molded plastic, 4-lead)
実装スタイル — Surface Mount
Configuration — Single, Common-Source
Application — Base station / broadband commercial amplifier
ピン数 — 5
Lead Free Status — Lead Free
Operating Mode — Class AB (typical RF PA)

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