MRF6S18140HR5 vs MRF6S19140HR5 比較

詳細な並列比較: MRF6S18140HR5 メーカー: NXP Semiconductors および MRF6S19140HR5 メーカー: NXP Semiconductors。主要仕様、電気的特性、パッケージ、ライフサイクルステータス、価格、在庫状況を比較して、設計要件に最適な部品を判断してください。

NXP Semiconductors
MRF6S18140HR5 MRF6S18140HR5 - 29W RF Power LDMOS Transistor | NXP Semiconductors

MRF6S18140HR5 - 29W RF Power LDMOS Transistor | NXP Semiconductors

MRF6S18140HR5 ✓ 生産中
NXP Semiconductors
MRF6S19140HR5 MRF6S19140HR5 - 29W RF Power LDMOS, 1.93-1.99GHz | NXP

MRF6S19140HR5 - 29W RF Power LDMOS, 1.93-1.99GHz | NXP

MRF6S19140HR5 ✓ 生産中

仕様比較

パラメータ MRF6S18140HR5 MRF6S19140HR5
ブランド NXP Semiconductors NXP Semiconductors
カテゴリ MOSFETs MOSFETs
ライフサイクル状態 有効 有効
在庫状況 In Stock In Stock
単価(USD) $65.00 $82.40
トランジスタタイプ LDMOS (RF Power MOSFET) N-Channel RF Power LDMOS
Technology LDMOS, N-Channel —
Frequency 1.88 GHz (test frequency) —
Test Voltage 28 V —
Test Current 1.2 A —
Power Gain 16 dB (typical at test condition) —
Output Power (P1dB) 29 W —
Voltage - Rated (Vdss max) 68 V —
Current Rating (leakage) 10 uA —
パッケージ NI-880H-2L (ceramic flange mount) —
実装タイプ Chassis / Flange Mount Chassis / flange mount (bolt-down)
Configuration Single, internally input-matched —
Application N-CDMA, TDMA, CDMA, multicarrier amplifier base-station PA —
Operating Class Class AB —
Lead Free Status Lead Free / RoHS Compliant (per distributor listing) —
Manufacturer NXP USA Inc. (formerly Freescale Semiconductor) NXP Semiconductors (formerly Freescale)
Drain-Source Voltage (Vdss) — 68 V (max)
Operating Drain Voltage (typical) — 28 V
Pulsed Drain Current (Id) — 1.15 A
Output Power (Pout) — 29 W (CW or pulsed)
Operating Frequency — 1.93 GHz to 1.99 GHz
Small-Signal Gain — 16 dB (typical)
パッケージ / ケース — NI-880H-2L ceramic flange
Process Technology — HV6 LDMOS
RoHS ステータス — [DATA_NEEDED: RoHS status]
Lead-Free — [DATA_NEEDED: lead-free status]
動作温度範囲 — [DATA_NEEDED: operating temp range]
Channel-to-Flange Thermal Resistance — 0.45 C/W (estimated, datasheet figure)

データシート&リソース

すべての製品を閲覧 BOMを作成 見積もり依頼