MRF6S19140HR5 vs MRF6S18140HR5 比較

詳細な並列比較: MRF6S19140HR5 メーカー: NXP Semiconductors および MRF6S18140HR5 メーカー: NXP Semiconductors。主要仕様、電気的特性、パッケージ、ライフサイクルステータス、価格、在庫状況を比較して、設計要件に最適な部品を判断してください。

NXP Semiconductors
MRF6S19140HR5 MRF6S19140HR5 - 29W RF Power LDMOS, 1.93-1.99GHz | NXP

MRF6S19140HR5 - 29W RF Power LDMOS, 1.93-1.99GHz | NXP

MRF6S19140HR5 ✓ 生産中
NXP Semiconductors
MRF6S18140HR5 MRF6S18140HR5 - 29W RF Power LDMOS Transistor | NXP Semiconductors

MRF6S18140HR5 - 29W RF Power LDMOS Transistor | NXP Semiconductors

MRF6S18140HR5 ✓ 生産中

仕様比較

パラメータ MRF6S19140HR5 MRF6S18140HR5
ブランド NXP Semiconductors NXP Semiconductors
カテゴリ MOSFETs MOSFETs
ライフサイクル状態 有効 有効
在庫状況 In Stock In Stock
単価(USD) $82.40 $65.00
Manufacturer NXP Semiconductors (formerly Freescale) NXP USA Inc. (formerly Freescale Semiconductor)
トランジスタタイプ N-Channel RF Power LDMOS LDMOS (RF Power MOSFET)
Drain-Source Voltage (Vdss) 68 V (max) —
Operating Drain Voltage (typical) 28 V —
Pulsed Drain Current (Id) 1.15 A —
Output Power (Pout) 29 W (CW or pulsed) —
Operating Frequency 1.93 GHz to 1.99 GHz —
Small-Signal Gain 16 dB (typical) —
パッケージ / ケース NI-880H-2L ceramic flange —
実装タイプ Chassis / flange mount (bolt-down) Chassis / Flange Mount
Process Technology HV6 LDMOS —
RoHS ステータス [DATA_NEEDED: RoHS status] —
Lead-Free [DATA_NEEDED: lead-free status] —
動作温度範囲 [DATA_NEEDED: operating temp range] —
Channel-to-Flange Thermal Resistance 0.45 C/W (estimated, datasheet figure) —
Technology — LDMOS, N-Channel
Frequency — 1.88 GHz (test frequency)
Test Voltage — 28 V
Test Current — 1.2 A
Power Gain — 16 dB (typical at test condition)
Output Power (P1dB) — 29 W
Voltage - Rated (Vdss max) — 68 V
Current Rating (leakage) — 10 uA
パッケージ — NI-880H-2L (ceramic flange mount)
Configuration — Single, internally input-matched
Application — N-CDMA, TDMA, CDMA, multicarrier amplifier base-station PA
Operating Class — Class AB
Lead Free Status — Lead Free / RoHS Compliant (per distributor listing)

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