MRF6S27085HR5 vs MRF6S27085HR3 比較

詳細な並列比較: MRF6S27085HR5 メーカー: NXP Semiconductors および MRF6S27085HR3 メーカー: NXP Semiconductors。主要仕様、電気的特性、パッケージ、ライフサイクルステータス、価格、在庫状況を比較して、設計要件に最適な部品を判断してください。

NXP Semiconductors
MRF6S27085HR5 MRF6S27085HR5 - 20W RF Power LDMOS 2.7GHz NI-780 | NXP

MRF6S27085HR5 - 20W RF Power LDMOS 2.7GHz NI-780 | NXP

MRF6S27085HR5 ✓ 生産中
NXP Semiconductors
MRF6S27085HR3 MRF6S27085HR3 - 20W RF Power MOSFET, 2.6-2.7GHz, 28V LDMOS

MRF6S27085HR3 - 20W RF Power MOSFET, 2.6-2.7GHz, 28V LDMOS

MRF6S27085HR3 ✓ 生産中

仕様比較

パラメータ MRF6S27085HR5 MRF6S27085HR3
ブランド NXP Semiconductors NXP Semiconductors
カテゴリ MOSFETs MOSFETs
ライフサイクル状態 有効 有効
在庫状況 In Stock In Stock
単価(USD) $21.85 $23.75
トランジスタタイプ LDMOS, N-Channel RF Power LDMOS, N-Channel, Enhancement-Mode, Lateral
Technology HV6 LDMOS Lateral DMOS (LDMOS)
Rated Drain-Source Voltage (Vdss) 68 V —
Test Supply Voltage (Vdd) 28 V —
Test Quiescent Current (Idq) 900 mA —
Operating Frequency Range 2500 MHz to 2700 MHz —
Test Frequency 2660 MHz 2.66 GHz
Output Power (Pout) 20 W (CW) —
Small-Signal Gain 15.5 dB at 2.66 GHz —
パッケージ / ケース NI-780H-2L (ceramic acorn) NI-780H-2L (CASE 465-06, STYLE 1), ceramic flange mount
実装タイプ Chassis / Flange Mount Flange / Chassis mount with bolt-down thermal pad
ピン数 2-lead + flange 3 (Drain, Gate, Source)
Lead Free Status Lead-free (per distributor listing) —
Peak Reflow Temperature 260 C —
Time at Peak Reflow 40 s maximum —
RoHS ステータス Compliant (per distributor listing) Compliant per Freescale/NXP material declaration
Application W-CDMA / multi-carrier base-station PA RF Power Amplifier
Manufacturer — NXP Semiconductors (formerly Freescale)
Part Number — MRF6S27085HR3
Operating Frequency — 2600 MHz to 2700 MHz
Output Power (Average, P1dB-rated) — 20 W
Power Gain (Typ) — 15.5 dB
Drain-Source Voltage Rating — 68 V
Operating Drain Voltage — 28 V
Quiescent Bias Current (Test) — 900 mA
Packaging — Tape & Reel (suffix HR3)

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