MT29F1G08ABAEAWP-IT:E vs MX30LF1GE8AB-TI-TR 比較

詳細な並列比較: MT29F1G08ABAEAWP-IT:E メーカー: Micron Technology および MX30LF1GE8AB-TI-TR メーカー: Macronix。主要仕様、電気的特性、パッケージ、ライフサイクルステータス、価格、在庫状況を比較して、設計要件に最適な部品を判断してください。

Micron Technology
MT29F1G08ABAEAWP-IT:E MT29F1G08ABAEAWP-IT:E - 1Gbit SLC NAND Flash | Micron

MT29F1G08ABAEAWP-IT:E - 1Gbit SLC NAND Flash | Micron

MT29F1G08ABAEAWP-IT:E ✓ 生産中

仕様比較

パラメータ MT29F1G08ABAEAWP-IT:E MX30LF1GE8AB-TI-TR
ブランド Micron Technology Macronix
カテゴリ Memory ICs Memory ICs
ライフサイクル状態 有効 有効
在庫状況 In Stock In Stock
単価(USD) $1.60 $1.89
メモリサイズ 1 Gbit (128 MB) —
メモリ構成 128M x 8 —
インターフェース Parallel —
電源電圧 3.3 V —
Access Time 25 ns —
Page Size 2048 bytes + 64 bytes spare 2112 bytes (2048 data + 64 spare)
Block Size 128 KB 64 pages (128 KB + 4 KB spare)
Program Time 200 us (typical) —
Erase Time 2 ms (typical) —
Endurance 100K program/erase cycles —
Data Retention 10 years 10 years (typical)
動作温度 -40C to +85C -40 C to +85 C (industrial)
パッケージ TSOP-48 48-pin TSOP-I (Type I)
実装タイプ Surface Mount Surface Mount
RoHS ステータス Compliant Compliant
メモリタイプ — Non-Volatile NAND Flash (SLC)
Memory Organization — 128 M x 8
Density — 1 Gbit (1024 Mbit)
インターフェースタイプ — Parallel Asynchronous (ONFI 1.0)
Cell Technology — Single-Level Cell (SLC)
Number of Blocks — 1024
Access Time (tR) — 20 ns / 25 ns (grade dependent)
Supply Voltage (VCC) — 2.7 V to 3.6 V
Active Read Current (ICC1) — 15 mA typical
Program / Erase Current (ICC2) — 15 mA typical
Program / Erase Endurance — 100 K cycles per block (typical)
ECC Architecture — ECC-Free (external host ECC required)
Compliance Standard — ONFI 1.0
Bad Block Mark — 00h on 1st and 2nd page (per datasheet v1.3)
Bad Block Indicator — Marked at 1st and 2nd page (00h) per datasheet v1.3
R/B# Power-On Delay — 100 us (per datasheet v1.3)

データシート&リソース

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