MT40A1G8AG-062E vs H5AN8G8NAFR-PBC 比較

詳細な並列比較: MT40A1G8AG-062E メーカー: Micron Technology および H5AN8G8NAFR-PBC メーカー: SK hynix。主要仕様、電気的特性、パッケージ、ライフサイクルステータス、価格、在庫状況を比較して、設計要件に最適な部品を判断してください。

Micron Technology
MT40A1G8AG-062E MT40A1G8AG-062E - 8Gb DDR4 SDRAM 3200Mb/s x8 | Micron

MT40A1G8AG-062E - 8Gb DDR4 SDRAM 3200Mb/s x8 | Micron

MT40A1G8AG-062E ✓ 生産中
SK hynix
H5AN8G8NAFR-PBC H5AN8G8NAFR-PBC - 8Gb DDR4 SDRAM x8 1.2V | SK hynix

H5AN8G8NAFR-PBC - 8Gb DDR4 SDRAM x8 1.2V | SK hynix

H5AN8G8NAFR-PBC ✓ 生産中

仕様比較

パラメータ MT40A1G8AG-062E H5AN8G8NAFR-PBC
ブランド Micron Technology SK hynix
カテゴリ Memory ICs DRAM
ライフサイクル状態 有効 有効
在庫状況 In Stock In Stock
単価(USD) $3.10 $2.20
メモリタイプ DDR4 SDRAM DDR4 SDRAM
メモリサイズ 8 Gbit —
メモリ構成 1G x 8 1G x 8
インターフェース Parallel DDR4 (double data rate, synchronized to clock)
Clock Frequency 1.6 GHz (DDR4-3200, 3200 MT/s data rate) —
Clock Cycle Time 19 ns class (-062E speed grade) —
Supply Voltage (VDD) 1.2 V —
パッケージ 78-FBGA (7.5 x 11 mm) FBGA-78
実装タイプ Surface Mount (BGA) Surface Mount
Temperature Grade Automotive (AUT) —
Access Time (CAS Latency class) DDR4-3200 timing class (tAA per datasheet) —
Bank Group Architecture Yes (DDR4 bank groups) —
Termination On-Die Termination (ODT) —
CA Parity Supported (DDR4 command/address parity) —
Packaging Option Tape and Reel (TR / :R suffix) —
RoHS ステータス [DATA_NEEDED: RoHS status] Compliant
動作温度範囲 [DATA_NEEDED: operating temperature range] —
Refresh Rate [DATA_NEEDED: refresh rate] —
Density — 8 Gb
電源電圧 — 1.2 V
Speed Grade / Data Rate — [DATA_NEEDED: speed grade / data rate]
Address Inputs — A0 - A17 (A10/AP, A12/BC_n, RAS_n/A16, CAS_n/A15, WE_n/A14 multiplexed)
Connectivity Test Mode — TEN (optional input on x4/x8, required on x16)
Process Technology — CMOS
Lead-Free — Yes
ハロゲンフリー — Yes
Datasheet Revision — Rev. 1.2 / July 2017
動作温度 — [DATA_NEEDED: operating temperature range]

データシート&リソース

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