MT40A1G8AG-062E vs H5AN8G8NAFR-PBC Comparaison

Comparaison détaillée côte à côte de MT40A1G8AG-062E par Micron Technology et H5AN8G8NAFR-PBC par SK hynix. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.

Micron Technology
MT40A1G8AG-062E MT40A1G8AG-062E - 8Gb DDR4 SDRAM 3200Mb/s x8 | Micron

MT40A1G8AG-062E - 8Gb DDR4 SDRAM 3200Mb/s x8 | Micron

MT40A1G8AG-062E ✓ Actif
SK hynix
H5AN8G8NAFR-PBC H5AN8G8NAFR-PBC - 8Gb DDR4 SDRAM x8 1.2V | SK hynix

H5AN8G8NAFR-PBC - 8Gb DDR4 SDRAM x8 1.2V | SK hynix

H5AN8G8NAFR-PBC ✓ Actif

Comparaison des spécifications

Paramètre MT40A1G8AG-062E H5AN8G8NAFR-PBC
Marque Micron Technology SK hynix
Catégorie Memory ICs DRAM
Statut du cycle de vie Actif Actif
Statut du stock In Stock In Stock
Prix unitaire (USD) $3,10 $2,20
Type de mémoire DDR4 SDRAM DDR4 SDRAM
Taille de mémoire 8 Gbit —
Organisation de la mémoire 1G x 8 1G x 8
Interface Parallel DDR4 (double data rate, synchronized to clock)
Clock Frequency 1.6 GHz (DDR4-3200, 3200 MT/s data rate) —
Clock Cycle Time 19 ns class (-062E speed grade) —
Supply Voltage (VDD) 1.2 V —
Boîtier 78-FBGA (7.5 x 11 mm) FBGA-78
Type de montage Surface Mount (BGA) Surface Mount
Temperature Grade Automotive (AUT) —
Access Time (CAS Latency class) DDR4-3200 timing class (tAA per datasheet) —
Bank Group Architecture Yes (DDR4 bank groups) —
Termination On-Die Termination (ODT) —
CA Parity Supported (DDR4 command/address parity) —
Packaging Option Tape and Reel (TR / :R suffix) —
Statut RoHS [DATA_NEEDED: RoHS status] Compliant
Plage de température de fonctionnement [DATA_NEEDED: operating temperature range] —
Refresh Rate [DATA_NEEDED: refresh rate] —
Density — 8 Gb
Tension d'alimentation — 1.2 V
Speed Grade / Data Rate — [DATA_NEEDED: speed grade / data rate]
Address Inputs — A0 - A17 (A10/AP, A12/BC_n, RAS_n/A16, CAS_n/A15, WE_n/A14 multiplexed)
Connectivity Test Mode — TEN (optional input on x4/x8, required on x16)
Process Technology — CMOS
Lead-Free — Yes
Sans halogène — Yes
Datasheet Revision — Rev. 1.2 / July 2017
Température de fonctionnement — [DATA_NEEDED: operating temperature range]

Fiches techniques et ressources

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