MT40A512M16JY-07EAIT:B vs NT5CC256M16DP-DI 比較

詳細な並列比較: MT40A512M16JY-07EAIT:B メーカー: Micron Technology および NT5CC256M16DP-DI メーカー: Nanya Technology。主要仕様、電気的特性、パッケージ、ライフサイクルステータス、価格、在庫状況を比較して、設計要件に最適な部品を判断してください。

Micron Technology
MT40A512M16JY-07EAIT:B MT40A512M16JY-07EAIT:B - 8Gb DDR4 SDRAM 512Mx16 | Micron

MT40A512M16JY-07EAIT:B - 8Gb DDR4 SDRAM 512Mx16 | Micron

MT40A512M16JY-07EAIT:B ✓ 生産中
Nanya Technology
NT5CC256M16DP-DI NT5CC256M16DP-DI - 4Gb DDR3L SDRAM 256Mx16 | Nanya

NT5CC256M16DP-DI - 4Gb DDR3L SDRAM 256Mx16 | Nanya

NT5CC256M16DP-DI ✓ 生産中

仕様比較

パラメータ MT40A512M16JY-07EAIT:B NT5CC256M16DP-DI
ブランド Micron Technology Nanya Technology
カテゴリ Memory ICs Memory ICs
ライフサイクル状態 有効 有効
在庫状況 In Stock In Stock
単価(USD) $8.10 $6.50
メモリタイプ DDR4 SDRAM DDR3L SDRAM
メモリサイズ 8 Gbit —
メモリ構成 512M x 16 256M x 16
Clock Frequency 1.33 GHz —
データレート 2666 MT/s 1600 Mbps/pin (800MHz)
Supply Voltage (VDD/VDDQ) 1.2V ±60mV —
VPP Voltage 2.5V, -125mV, +250mV —
インターフェース Parallel Differential clock (CK, CK#)
パッケージ 96-FBGA (8x14) VFBGA-96
動作温度範囲 -40°C to +105°C (AIT grade) -40°C to +95°C (industrial)
Refresh Time 64ms at -40°C to 85°C, 32ms at >85°C to 95°C, 16ms at >95°C to 105°C —
I/O Type 1.2V pseudo open-drain —
VREFDQ On-die, internal, adjustable —
AEC-Q100 Qualified (AIT suffix) —
RoHS Compliant Compliant
Density — 4Gb
電源電圧 — 1.35V
CASレイテンシ — 11, 12, 13 (programmable)
Burst Length — 8, 4 (with burst chop)
Number of Banks — 8
Refresh — Auto-refresh and self-refresh
On-Die Termination — Yes (ODT)
Lead-Free — Yes

データシート&リソース

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