MT40A512M16JY-07EAIT:B vs NT5CC256M16DP-DI Comparación
Comparación detallada lado a lado de MT40A512M16JY-07EAIT:B por Micron Technology y NT5CC256M16DP-DI por Nanya Technology. Compare las especificaciones clave, los parámetros eléctricos, el encapsulado, el estado del ciclo de vida, los precios y la disponibilidad para determinar el mejor componente para los requisitos de su diseño.
Micron Technology
MT40A512M16JY-07EAIT:B - 8Gb DDR4 SDRAM 512Mx16 | Micron
MT40A512M16JY-07EAIT:B ✓ Activo
Comparación de especificaciones
| Parámetro | MT40A512M16JY-07EAIT:B | NT5CC256M16DP-DI |
|---|---|---|
| Marca | Micron Technology | Nanya Technology |
| Categoría | Memory ICs | Memory ICs |
| Estado del ciclo de vida | Activo | Activo |
| Estado del stock | In Stock | In Stock |
| Precio unitario (USD) | $8,10 | $6,50 |
| Tipo de memoria | DDR4 SDRAM | DDR3L SDRAM |
| Tamaño de memoria | 8 Gbit | — |
| Organización de memoria | 512M x 16 | 256M x 16 |
| Clock Frequency | 1.33 GHz | — |
| Velocidad de datos | 2666 MT/s | 1600 Mbps/pin (800MHz) |
| Supply Voltage (VDD/VDDQ) | 1.2V ±60mV | — |
| VPP Voltage | 2.5V, -125mV, +250mV | — |
| Interfaz | Parallel | Differential clock (CK, CK#) |
| Encapsulado | 96-FBGA (8x14) | VFBGA-96 |
| Rango de temperatura de funcionamiento | -40°C to +105°C (AIT grade) | -40°C to +95°C (industrial) |
| Refresh Time | 64ms at -40°C to 85°C, 32ms at >85°C to 95°C, 16ms at >95°C to 105°C | — |
| I/O Type | 1.2V pseudo open-drain | — |
| VREFDQ | On-die, internal, adjustable | — |
| AEC-Q100 | Qualified (AIT suffix) | — |
| RoHS | Compliant | Compliant |
| Density | — | 4Gb |
| Tensión de alimentación | — | 1.35V |
| Latencia CAS | — | 11, 12, 13 (programmable) |
| Burst Length | — | 8, 4 (with burst chop) |
| Number of Banks | — | 8 |
| Refresh | — | Auto-refresh and self-refresh |
| On-Die Termination | — | Yes (ODT) |
| Lead-Free | — | Yes |