MT40A512M16LY-062E AAT:E vs K4A4G165WG-BCWE 比較

詳細な並列比較: MT40A512M16LY-062E AAT:E メーカー: Micron Technology および K4A4G165WG-BCWE メーカー: Samsung Electronics。主要仕様、電気的特性、パッケージ、ライフサイクルステータス、価格、在庫状況を比較して、設計要件に最適な部品を判断してください。

Micron Technology
MT40A512M16LY-062E AAT:E MT40A512M16LY-062E AAT:E - 8Gbit DDR4 SDRAM 1.6GHz | Micron

MT40A512M16LY-062E AAT:E - 8Gbit DDR4 SDRAM 1.6GHz | Micron

MT40A512M16LY-062E AAT:E ✓ 生産中
Samsung Electronics
K4A4G165WG-BCWE K4A4G165WG-BCWE - 4Gb DDR4 SDRAM 3200Mbps 1.2V | Samsung

K4A4G165WG-BCWE - 4Gb DDR4 SDRAM 3200Mbps 1.2V | Samsung

K4A4G165WG-BCWE ✓ 生産中

仕様比較

パラメータ MT40A512M16LY-062E AAT:E K4A4G165WG-BCWE
ブランド Micron Technology Samsung Electronics
カテゴリ Memory ICs Memory ICs
ライフサイクル状態 有効 有効
在庫状況 In Stock In Stock
単価(USD) $9.20 $16.90
メモリタイプ DDR4 SDRAM DDR4 SDRAM (volatile DRAM)
メモリサイズ 8 Gbit (1 GB) 4 Gbit
Memory Organization 512M x 16 256M x 16
インターフェース Parallel Parallel
Clock Frequency 1.6 GHz [DATA_NEEDED: clock frequency / tCK range]
Access Time 19 ns 19 ns
電源電圧 1.2 V 1.2 V
Speed Grade 062E —
パッケージ 96-FBGA (7.5 x 13.5 mm) FBGA-96
実装タイプ Surface Mount Surface Mount
動作温度 [DATA_NEEDED: operating temperature range] 0C to +85C
Package Height [DATA_NEEDED: package max height] —
MSL Rating [DATA_NEEDED: moisture sensitivity level] —
Ordering Code Suffix AAT:E (temperature/package option per Micron code) —
RoHS ステータス Compliant Compliant (per JLCPCB listing)
Moisture Packaging [DATA_NEEDED: packing type for AAT:E suffix] —
Data Rate Class DDR4-3200 (062E speed bin) —
データレート — 3200 Mbps
Memory Format — DRAM
Technology — DDR4
Product Status — Active
CASレイテンシ — [DATA_NEEDED: CAS latency]
Refresh Rate — [DATA_NEEDED: refresh interval]

データシート&リソース

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