MT40A512M16LY-062E AAT:E vs K4A4G165WG-BCWE Comparaison

Comparaison détaillée côte à côte de MT40A512M16LY-062E AAT:E par Micron Technology et K4A4G165WG-BCWE par Samsung Electronics. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.

Micron Technology
MT40A512M16LY-062E AAT:E MT40A512M16LY-062E AAT:E - 8Gbit DDR4 SDRAM 1.6GHz | Micron

MT40A512M16LY-062E AAT:E - 8Gbit DDR4 SDRAM 1.6GHz | Micron

MT40A512M16LY-062E AAT:E ✓ Actif
Samsung Electronics
K4A4G165WG-BCWE K4A4G165WG-BCWE - 4Gb DDR4 SDRAM 3200Mbps 1.2V | Samsung

K4A4G165WG-BCWE - 4Gb DDR4 SDRAM 3200Mbps 1.2V | Samsung

K4A4G165WG-BCWE ✓ Actif

Comparaison des spécifications

Paramètre MT40A512M16LY-062E AAT:E K4A4G165WG-BCWE
Marque Micron Technology Samsung Electronics
Catégorie Memory ICs Memory ICs
Statut du cycle de vie Actif Actif
Statut du stock In Stock In Stock
Prix unitaire (USD) $9,20 $16,90
Type de mémoire DDR4 SDRAM DDR4 SDRAM (volatile DRAM)
Taille de mémoire 8 Gbit (1 GB) 4 Gbit
Memory Organization 512M x 16 256M x 16
Interface Parallel Parallel
Clock Frequency 1.6 GHz [DATA_NEEDED: clock frequency / tCK range]
Access Time 19 ns 19 ns
Tension d'alimentation 1.2 V 1.2 V
Speed Grade 062E —
Boîtier 96-FBGA (7.5 x 13.5 mm) FBGA-96
Type de montage Surface Mount Surface Mount
Température de fonctionnement [DATA_NEEDED: operating temperature range] 0C to +85C
Package Height [DATA_NEEDED: package max height] —
MSL Rating [DATA_NEEDED: moisture sensitivity level] —
Ordering Code Suffix AAT:E (temperature/package option per Micron code) —
Statut RoHS Compliant Compliant (per JLCPCB listing)
Moisture Packaging [DATA_NEEDED: packing type for AAT:E suffix] —
Data Rate Class DDR4-3200 (062E speed bin) —
Débit de données — 3200 Mbps
Memory Format — DRAM
Technology — DDR4
Product Status — Active
Latence CAS — [DATA_NEEDED: CAS latency]
Refresh Rate — [DATA_NEEDED: refresh interval]

Fiches techniques et ressources

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