MT40A512M16LY-062E vs MT40A512M16HA-083E 比較

詳細な並列比較: MT40A512M16LY-062E メーカー: Micron Technology および MT40A512M16HA-083E メーカー: Micron Technology。主要仕様、電気的特性、パッケージ、ライフサイクルステータス、価格、在庫状況を比較して、設計要件に最適な部品を判断してください。

Micron Technology
MT40A512M16LY-062E MT40A512M16LY-062E - 8Gb DDR4 SDRAM 3200MT/s | Micron

MT40A512M16LY-062E - 8Gb DDR4 SDRAM 3200MT/s | Micron

MT40A512M16LY-062E ✓ 生産中
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MT40A512M16HA-083E MT40A512M16HA-083E - 8Gb DDR4-2400 SDRAM | Micron

MT40A512M16HA-083E - 8Gb DDR4-2400 SDRAM | Micron

MT40A512M16HA-083E ✓ 生産中

仕様比較

パラメータ MT40A512M16LY-062E MT40A512M16HA-083E
ブランド Micron Technology Micron Technology
カテゴリ Memory ICs Memory ICs
ライフサイクル状態 有効 有効
在庫状況 In Stock In Stock
単価(USD) $6.65 $0.00
メモリタイプ DDR4 SDRAM DDR4 SDRAM
メモリサイズ 8 Gbit —
メモリ構成 512M x 16 —
データレート 3200 MT/s 1.2 GHz data clock; DDR4-2400 class
Clock Frequency 1.6 GHz —
Access Time 19 ns —
Supply Voltage VDD/VDDQ 1.2 V +/- 60 mV —
Supply Voltage VPP 2.5 V (-125 mV, +250 mV) —
Bank Architecture 16 banks in 2 groups of 4 (x16) —
Refresh 8192-cycle; 64 ms at -40C to +85C, 32 ms >85C to +95C, 16 ms >95C —
I/O Interface 1.2 V pseudo open-drain 1.2V pseudo open-drain
特長 Auto self-refresh, write leveling, dynamic ODT, CRC, data mask, auto precharge, async reset, ZQ calibration, on-die adjustable VREFDQ —
動作温度 -40C to +95C (IT grade) [DATA_NEEDED: operating temperature range]
パッケージ 96-ball FBGA (7.5 x 13.5 mm) 96-ball FBGA, 9 x 14 mm
実装タイプ Surface Mount Surface Mount
RoHS ステータス Compliant Compliant
Memory Density — 8Gbit
Memory Organization — 512M x 16
Data Interface — Parallel DDR4, 16-bit
VDD Supply — 1.2 V plus or minus 60 mV
VDDQ Supply — 1.2 V plus or minus 60 mV
VPP Supply — 2.5 V, -125 mV to +250 mV
基準電圧 — On-die internal adjustable VREFDQ
Refresh Cycle Count — 8192 cycles
Refresh Time, -40C to 85C — 64 ms
Refresh Time, >85C to 95C — 32 ms
Refresh Time, >95C — 16 ms
Ball Pitch — 0.8 mm

データシート&リソース

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