MT40A512M16LY-062E vs MT40A512M16HA-083E 비교

다음의 상세 나란히 비교: MT40A512M16LY-062E 제조: Micron Technology 및 MT40A512M16HA-083E 제조: Micron Technology. 주요 사양, 전기적 파라미터, 패키징, 수명 주기 상태, 가격 및 재고를 비교하여 설계 요구 사항에 가장 적합한 부품을 결정하십시오.

Micron Technology
MT40A512M16LY-062E MT40A512M16LY-062E - 8Gb DDR4 SDRAM 3200MT/s | Micron

MT40A512M16LY-062E - 8Gb DDR4 SDRAM 3200MT/s | Micron

MT40A512M16LY-062E ✓ 활성
Micron Technology
MT40A512M16HA-083E MT40A512M16HA-083E - 8Gb DDR4-2400 SDRAM | Micron

MT40A512M16HA-083E - 8Gb DDR4-2400 SDRAM | Micron

MT40A512M16HA-083E ✓ 활성

사양 비교

파라미터 MT40A512M16LY-062E MT40A512M16HA-083E
브랜드 Micron Technology Micron Technology
카테고리 Memory ICs Memory ICs
수명 주기 상태 활성 활성
재고 상태 In Stock In Stock
단가 (USD) $6.65 $0.00
메모리 유형 DDR4 SDRAM DDR4 SDRAM
메모리 크기 8 Gbit —
메모리 구성 512M x 16 —
데이터 속도 3200 MT/s 1.2 GHz data clock; DDR4-2400 class
Clock Frequency 1.6 GHz —
Access Time 19 ns —
Supply Voltage VDD/VDDQ 1.2 V +/- 60 mV —
Supply Voltage VPP 2.5 V (-125 mV, +250 mV) —
Bank Architecture 16 banks in 2 groups of 4 (x16) —
Refresh 8192-cycle; 64 ms at -40C to +85C, 32 ms >85C to +95C, 16 ms >95C —
I/O Interface 1.2 V pseudo open-drain 1.2V pseudo open-drain
특징 Auto self-refresh, write leveling, dynamic ODT, CRC, data mask, auto precharge, async reset, ZQ calibration, on-die adjustable VREFDQ —
동작 온도 -40C to +95C (IT grade) [DATA_NEEDED: operating temperature range]
패키지 96-ball FBGA (7.5 x 13.5 mm) 96-ball FBGA, 9 x 14 mm
실장 유형 Surface Mount Surface Mount
RoHS 상태 Compliant Compliant
Memory Density — 8Gbit
Memory Organization — 512M x 16
Data Interface — Parallel DDR4, 16-bit
VDD Supply — 1.2 V plus or minus 60 mV
VDDQ Supply — 1.2 V plus or minus 60 mV
VPP Supply — 2.5 V, -125 mV to +250 mV
기준 전압 — On-die internal adjustable VREFDQ
Refresh Cycle Count — 8192 cycles
Refresh Time, -40C to 85C — 64 ms
Refresh Time, >85C to 95C — 32 ms
Refresh Time, >95C — 16 ms
Ball Pitch — 0.8 mm

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