MT40A512M16LY-075:E vs MT40A512M16LY-062E 比較

詳細な並列比較: MT40A512M16LY-075:E メーカー: Micron Technology および MT40A512M16LY-062E メーカー: Micron Technology。主要仕様、電気的特性、パッケージ、ライフサイクルステータス、価格、在庫状況を比較して、設計要件に最適な部品を判断してください。

Micron Technology
MT40A512M16LY-075:E MT40A512M16LY-075:E - 8Gb DDR4 SDRAM 2666MT/s | Micron

MT40A512M16LY-075:E - 8Gb DDR4 SDRAM 2666MT/s | Micron

MT40A512M16LY-075:E ✓ 生産中
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MT40A512M16LY-062E MT40A512M16LY-062E - 8Gb DDR4 SDRAM 3200MT/s | Micron

MT40A512M16LY-062E - 8Gb DDR4 SDRAM 3200MT/s | Micron

MT40A512M16LY-062E ✓ 生産中

仕様比較

パラメータ MT40A512M16LY-075:E MT40A512M16LY-062E
ブランド Micron Technology Micron Technology
カテゴリ Memory ICs Memory ICs
ライフサイクル状態 有効 有効
在庫状況 In Stock In Stock
単価(USD) $5.80 $6.65
メモリタイプ DDR4 SDRAM DDR4 SDRAM
メモリサイズ 8 Gbit (512M x 16) 8 Gbit
データレート 2666 MT/s 3200 MT/s
Clock Frequency 1.33 GHz 1.6 GHz
CASレイテンシ 19 —
Supply Voltage (VDD/VDDQ) 1.2V ±60mV —
VPP Supply 2.5V (-125mV, +250mV) —
インターフェース Parallel —
パッケージ 96-FBGA (7.5x13.5mm) 96-ball FBGA (7.5 x 13.5 mm)
動作温度範囲 0°C to +95°C —
Refresh Time 64ms at -40°C to 85°C, 32ms at >85°C to 95°C, 16ms at >95°C to 105°C —
Internal Banks (x16) 8 banks (4 groups of 2) —
I/O Type 1.2V pseudo open-drain —
RoHS Compliant —
実装タイプ Surface Mount Surface Mount
メモリ構成 — 512M x 16
Access Time — 19 ns
Supply Voltage VDD/VDDQ — 1.2 V +/- 60 mV
Supply Voltage VPP — 2.5 V (-125 mV, +250 mV)
Bank Architecture — 16 banks in 2 groups of 4 (x16)
Refresh — 8192-cycle; 64 ms at -40C to +85C, 32 ms >85C to +95C, 16 ms >95C
I/O Interface — 1.2 V pseudo open-drain
特長 — Auto self-refresh, write leveling, dynamic ODT, CRC, data mask, auto precharge, async reset, ZQ calibration, on-die adjustable VREFDQ
動作温度 — -40C to +95C (IT grade)
RoHS ステータス — Compliant

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