MT40A512M16TD-062E AUT:R vs K4A4G165WG-BCWE 比較
詳細な並列比較: MT40A512M16TD-062E AUT:R メーカー: Micron Technology および K4A4G165WG-BCWE メーカー: Samsung Electronics。主要仕様、電気的特性、パッケージ、ライフサイクルステータス、価格、在庫状況を比較して、設計要件に最適な部品を判断してください。
Micron Technology
MT40A512M16TD-062E AUT:R - 8Gbit DDR4 SDRAM | Micron
MT40A512M16TD-062E AUT:R ✓ 生産中
仕様比較
| パラメータ | MT40A512M16TD-062E AUT:R | K4A4G165WG-BCWE |
|---|---|---|
| ブランド | Micron Technology | Samsung Electronics |
| カテゴリ | Memory ICs | Memory ICs |
| ライフサイクル状態 | 有効 | 有効 |
| 在庫状況 | In Stock | In Stock |
| 単価（USD） | $3.90 | $16.90 |
| メモリタイプ | DDR4 SDRAM | DDR4 SDRAM (volatile DRAM) |
| メモリサイズ | 8 Gbit | 4 Gbit |
| メモリ構成 | 512M x 16 | — |
| インターフェース | Parallel | Parallel |
| Clock Frequency / Data Rate | 1.6 GHz | — |
| Access Time | 19 ns | 19 ns |
| 電源電圧 | 1.2 V | 1.2 V |
| パッケージ | 96-FBGA (7.5 x 13 mm) | FBGA-96 |
| 実装タイプ | Surface Mount | Surface Mount |
| Automotive Qualification | AEC-Q100 (AUT grade) | — |
| Packaging Suffix | -R (Tape & Reel) | — |
| Speed Grade | -062E | — |
| Technology Family | DDR4 SDRAM (SDR/DDR family) | — |
| 動作温度範囲 | [DATA_NEEDED: operating temperature range] | — |
| Refresh Rate | [DATA_NEEDED: refresh interval spec] | [DATA_NEEDED: refresh interval] |
| Memory Organization | — | 256M x 16 |
| データレート | — | 3200 Mbps |
| 動作温度 | — | 0C to +85C |
| Memory Format | — | DRAM |
| Technology | — | DDR4 |
| Product Status | — | Active |
| RoHS ステータス | — | Compliant (per JLCPCB listing) |
| Clock Frequency | — | [DATA_NEEDED: clock frequency / tCK range] |
| CASレイテンシ | — | [DATA_NEEDED: CAS latency] |