MT41K128M16JT-125 AUT:K vs K4B4G1646E-BYK000 比較
詳細な並列比較: MT41K128M16JT-125 AUT:K メーカー: Micron Technology および K4B4G1646E-BYK000 メーカー: Samsung Electronics。主要仕様、電気的特性、パッケージ、ライフサイクルステータス、価格、在庫状況を比較して、設計要件に最適な部品を判断してください。
Micron Technology
MT41K128M16JT-125 AUT:K - 2Gbit DDR3L SDRAM 96-FBGA | Micron
MT41K128M16JT-125 AUT:K ✓ 生産中仕様比較
| パラメータ | MT41K128M16JT-125 AUT:K | K4B4G1646E-BYK000 |
|---|---|---|
| ブランド | Micron Technology | Samsung Electronics |
| カテゴリ | Memory ICs | Memory ICs |
| ライフサイクル状態 | 有効 | 有効 |
| 在庫状況 | In Stock | In Stock |
| 単価（USD） | $12.17 | $0.56 |
| メモリタイプ | DDR3L SDRAM | DDR3L SDRAM |
| メモリサイズ | 2 Gbit | 4 Gbit |
| メモリ構成 | 128M x 16 | 256M x 16 |
| Clock Frequency | 800 MHz | 800 MHz |
| Access Time | 13.75 ns | 1.25 ns |
| 電源電圧 | 1.35 V | — |
| インターフェース | Parallel | Parallel |
| Speed Grade | -125 (1600 MT/s) | DDR3-1600 (1.25 ns clock cycle) |
| パッケージ | 96-FBGA (8x14) | 96-FBGA (BYK) |
| 動作温度 | -40C to +125C | [DATA_NEEDED: operating temperature range] |
| Automotive Qualification | Yes (AUT part number suffix) | — |
| 実装タイプ | Surface Mount | Surface Mount |
| Marking Code | D9VKD | — |
| データレート | 1600 MT/s | — |
| Packaging Option | Tape & Reel (TR suffix variant available) | — |
| RoHS ステータス | [DATA_NEEDED: RoHS status] | [DATA_NEEDED: RoHS status] |
| CAS Latency (CL) | — | [DATA_NEEDED: CAS latency - 1.25 ns CL grade indicates CL11 but not explicitly stated in provided data] |
| Supply Voltage (VDD) | — | 1.35 V (DDR3L), 1.5 V compatible (DDR3) |
| Number of Banks | — | [DATA_NEEDED: bank count] |
| Die Process | — | Samsung E-die |
| 特長 | — | Auto precharge, asynchronous reset, ZQ calibration, dynamic on-chip termination, data mask |