MT47H32M16NF-25E:H vs MT47H64M16NF-25E 比較

詳細な並列比較: MT47H32M16NF-25E:H メーカー: Micron Technology および MT47H64M16NF-25E メーカー: Micron Technology。主要仕様、電気的特性、パッケージ、ライフサイクルステータス、価格、在庫状況を比較して、設計要件に最適な部品を判断してください。

Micron Technology
MT47H32M16NF-25E:H MT47H32M16NF-25E:H - 512Mb DDR2 SDRAM 400MHz FBGA-84 | Micron

MT47H32M16NF-25E:H - 512Mb DDR2 SDRAM 400MHz FBGA-84 | Micron

MT47H32M16NF-25E:H ✓ 生産中
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MT47H64M16NF-25E MT47H64M16NF-25E - 1Gb DDR2 SDRAM 400MHz x16 | Micron

MT47H64M16NF-25E - 1Gb DDR2 SDRAM 400MHz x16 | Micron

MT47H64M16NF-25E ✓ 生産中

仕様比較

パラメータ MT47H32M16NF-25E:H MT47H64M16NF-25E
ブランド Micron Technology Micron Technology
カテゴリ Memory ICs Memory ICs
ライフサイクル状態 有効 有効
在庫状況 In Stock In Stock
単価(USD) $7.73 $4.65
メモリタイプ DDR2 SDRAM DDR2 SDRAM
Density 512 Mbit —
メモリ構成 32M x 16 64M x 16
Clock Frequency 400 MHz 400 MHz
Output Jitter 400 ps —
電源電圧 1.8 V —
インターフェース Parallel —
パッケージ 84-FBGA (8 x 12.5 mm) 84-FBGA (8 mm x 12.5 mm)
Speed Grade -25E -25E
Operating Temperature (commercial :H variant) [DATA_NEEDED: operating temperature range] —
Operating Temperature (IT variant) -40C to +95C —
On-Die Termination (ODT) Yes —
Auto Precharge Yes —
Data Mask Function Yes —
実装タイプ Surface Mount Surface Mount (BGA)
RoHS ステータス Compliant (:H lead-free suffix) —
FBGA Code D9SBV —
メモリサイズ — 1 Gbit
Memory Interface — Parallel
データレート — DDR2-800 (400 ps)
Number of Banks — 8 banks
Prefetch Architecture — 4n-bit
VDD Supply Voltage — 1.8 V +/-0.1 V
VDDQ Supply Voltage — 1.8 V +/-0.1 V
I/O Interface Standard — SSTL_18-compatible (JEDEC 1.8V)
特長 — Differential DQS, RDQS duplicate output strobe, DM data mask, auto precharge, dynamic ODT
動作温度 — -40C to +95C (IT: industrial)
Part Status — Production

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