MT53B128M32D1DS-062 vs MT53B128M32D1DS-053 AUT:A 比較
詳細な並列比較: MT53B128M32D1DS-062 メーカー: Micron Technology および MT53B128M32D1DS-053 AUT:A メーカー: Micron Technology。主要仕様、電気的特性、パッケージ、ライフサイクルステータス、価格、在庫状況を比較して、設計要件に最適な部品を判断してください。
Micron Technology
MT53B128M32D1DS-062 - 4Gbit LPDDR4 SDRAM 1.6GHz | Micron
MT53B128M32D1DS-062 ✓ 生産中Micron Technology
MT53B128M32D1DS-053 AUT:A - 4Gbit LPDDR4 1.866GHz | Micron
MT53B128M32D1DS-053 AUT:A ✓ 生産中仕様比較
| パラメータ | MT53B128M32D1DS-062 | MT53B128M32D1DS-053 AUT:A |
|---|---|---|
| ブランド | Micron Technology | Micron Technology |
| カテゴリ | Memory ICs | DRAM |
| ライフサイクル状態 | 有効 | 有効 |
| 在庫状況 | In Stock | In Stock |
| 単価（USD） | $5.45 | $0.00 |
| メモリタイプ | SDRAM - Mobile LPDDR4 | SDRAM - Mobile LPDDR4 |
| メモリサイズ | 4 Gbit | 4 Gbit |
| メモリ構成 | 128M x 32 | — |
| Clock Frequency | 1600 MHz | 1.866 GHz |
| データレート | DDR-3200 (3200 MT/s class) | — |
| Core Supply Voltage (VDD) | 1.1 V | — |
| I/O Supply Voltage (VDDQ) | 1.1 V | — |
| インターフェース | LPDDR4 (JEDEC low-power DDR) | Parallel |
| パッケージ | 200-WFBGA (10 x 14.5 mm) | 200-WFBGA (10 mm x 14.5 mm) |
| 実装タイプ | Surface Mount | Surface Mount |
| 動作温度 | [DATA_NEEDED: operating temperature range for base suffix] | -40C to +125C |
| Speed Grade | -062 | -053 (1866 MHz) |
| Access Time | [DATA_NEEDED: tAA access time] | — |
| Refresh Scheme | [DATA_NEEDED: refresh scheme 1x/2x/4x] | — |
| RoHS ステータス | RoHS compliant (per JLCPCB listing) | [DATA_NEEDED: RoHS status] |
| Memory Format | Volatile DRAM | DRAM (volatile) |
| Package Case Size | 10 mm x 14.5 mm | — |
| Memory Organization | — | 128M x 32 |
| Access Time (Clock Cycle) | — | 3.5 ns |
| Supply Voltage (VDD/VDDQ) | — | 1.1 V |
| Grade | — | Automotive (AUT, AEC-Q100) |
| Feature | — | Ultra-low power consumption for enhanced battery life |
| Packaging Option | — | Tape & Reel (TR suffix variant) |
| MSLレベル | — | [DATA_NEEDED: moisture sensitivity level] |