MT53E1G32D2FW-046 AUT:B vs MT53E1G32D2FW-046 比較

詳細な並列比較: MT53E1G32D2FW-046 AUT:B メーカー: Micron Technology および MT53E1G32D2FW-046 メーカー: Micron Technology。主要仕様、電気的特性、パッケージ、ライフサイクルステータス、価格、在庫状況を比較して、設計要件に最適な部品を判断してください。

Micron Technology
MT53E1G32D2FW-046 AUT:B MT53E1G32D2FW-046 AUT:B - 32Gbit LPDDR4X DRAM | Micron

MT53E1G32D2FW-046 AUT:B - 32Gbit LPDDR4X DRAM | Micron

MT53E1G32D2FW-046 AUT:B ✓ 生産中
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MT53E1G32D2FW-046 MT53E1G32D2FW-046 - 32Gbit LPDDR4X SDRAM 200-TFBGA | Micron

MT53E1G32D2FW-046 - 32Gbit LPDDR4X SDRAM 200-TFBGA | Micron

MT53E1G32D2FW-046 ✓ 生産中

仕様比較

パラメータ MT53E1G32D2FW-046 AUT:B MT53E1G32D2FW-046
ブランド Micron Technology Micron Technology
カテゴリ Memory ICs Memory ICs
ライフサイクル状態 有効 有効
在庫状況 In Stock In Stock
単価(USD) $273.51 $295.93
メモリタイプ SDRAM - Mobile LPDDR4X Mobile LPDDR4X SDRAM
メモリサイズ 32 Gbit (4 GB) 32 Gbit (4 GB)
メモリ構成 x32 Parallel 1G x 32 (dual-die, 2 x 16-bit channels)
Clock Frequency 2.133 GHz 2133 MHz (2.133 GHz)
Access Time / Clock Cycle 3.5 ns —
インターフェース Parallel Parallel
パッケージ 200-TFBGA (10 mm x 14.5 mm) 200-TFBGA (10 x 14.5 mm)
動作温度 -40C to +125C —
Temperature Grade Automotive (AUT) —
Self-Refresh Auto self-refresh —
Built-in Temperature Sensor Yes —
Auto Precharge Yes —
Write Leveling Yes —
ZQ Calibration Yes —
実装タイプ Surface Mount Surface Mount
VDDQ Supply Voltage [DATA_NEEDED: VDDQ supply voltage] —
VDD Supply Voltage [DATA_NEEDED: VDD supply voltage] —
MSLレベル [DATA_NEEDED: moisture sensitivity level] —
RoHS ステータス [DATA_NEEDED: RoHS status] [DATA_NEEDED: RoHS status]
AEC-Q100 Qualification [DATA_NEEDED: AEC-Q100 qualification] —
データレート — 4266 Mb/s per pin
Access Time — 3.5 ns
Write Cycle Time — 18 ns
VDDQ I/O Voltage — 0.6 V
Ball Diameter — 0.40 mm (SMD balls)
Operating Temperature (AUT variant) — -40C to +125C
Die Revisions — :A (FBGA D9ZQX) and :B (FBGA D8CJB)
特長 — Auto self-refresh, built-in temperature sensor, auto precharge, write leveling, ZQ calibration
MSL Rating — [DATA_NEEDED: moisture sensitivity level]

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