MT53E1G32D2FW-046 AUT:B vs MT53E1G32D2FW-046 비교
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Micron Technology
MT53E1G32D2FW-046 AUT:B - 32Gbit LPDDR4X DRAM | Micron
MT53E1G32D2FW-046 AUT:B ✓ 활성Micron Technology
MT53E1G32D2FW-046 - 32Gbit LPDDR4X SDRAM 200-TFBGA | Micron
MT53E1G32D2FW-046 ✓ 활성사양 비교
| 파라미터 | MT53E1G32D2FW-046 AUT:B | MT53E1G32D2FW-046 |
|---|---|---|
| 브랜드 | Micron Technology | Micron Technology |
| 카테고리 | Memory ICs | Memory ICs |
| 수명 주기 상태 | 활성 | 활성 |
| 재고 상태 | In Stock | In Stock |
| 단가 (USD) | $273.51 | $295.93 |
| 메모리 유형 | SDRAM - Mobile LPDDR4X | Mobile LPDDR4X SDRAM |
| 메모리 크기 | 32 Gbit (4 GB) | 32 Gbit (4 GB) |
| 메모리 구성 | x32 Parallel | 1G x 32 (dual-die, 2 x 16-bit channels) |
| Clock Frequency | 2.133 GHz | 2133 MHz (2.133 GHz) |
| Access Time / Clock Cycle | 3.5 ns | — |
| 인터페이스 | Parallel | Parallel |
| 패키지 | 200-TFBGA (10 mm x 14.5 mm) | 200-TFBGA (10 x 14.5 mm) |
| 동작 온도 | -40C to +125C | — |
| Temperature Grade | Automotive (AUT) | — |
| Self-Refresh | Auto self-refresh | — |
| Built-in Temperature Sensor | Yes | — |
| Auto Precharge | Yes | — |
| Write Leveling | Yes | — |
| ZQ Calibration | Yes | — |
| 실장 유형 | Surface Mount | Surface Mount |
| VDDQ Supply Voltage | [DATA_NEEDED: VDDQ supply voltage] | — |
| VDD Supply Voltage | [DATA_NEEDED: VDD supply voltage] | — |
| MSL 레벨 | [DATA_NEEDED: moisture sensitivity level] | — |
| RoHS 상태 | [DATA_NEEDED: RoHS status] | [DATA_NEEDED: RoHS status] |
| AEC-Q100 Qualification | [DATA_NEEDED: AEC-Q100 qualification] | — |
| 데이터 속도 | — | 4266 Mb/s per pin |
| Access Time | — | 3.5 ns |
| Write Cycle Time | — | 18 ns |
| VDDQ I/O Voltage | — | 0.6 V |
| Ball Diameter | — | 0.40 mm (SMD balls) |
| Operating Temperature (AUT variant) | — | -40C to +125C |
| Die Revisions | — | :A (FBGA D9ZQX) and :B (FBGA D8CJB) |
| 특징 | — | Auto self-refresh, built-in temperature sensor, auto precharge, write leveling, ZQ calibration |
| MSL Rating | — | [DATA_NEEDED: moisture sensitivity level] |