NT5CC256M16DP-DI vs MT40A512M16JY-07EAIT:B 比較

詳細な並列比較: NT5CC256M16DP-DI メーカー: Nanya Technology および MT40A512M16JY-07EAIT:B メーカー: Micron Technology。主要仕様、電気的特性、パッケージ、ライフサイクルステータス、価格、在庫状況を比較して、設計要件に最適な部品を判断してください。

Nanya Technology
NT5CC256M16DP-DI NT5CC256M16DP-DI - 4Gb DDR3L SDRAM 256Mx16 | Nanya

NT5CC256M16DP-DI - 4Gb DDR3L SDRAM 256Mx16 | Nanya

NT5CC256M16DP-DI ✓ 生産中
Micron Technology
MT40A512M16JY-07EAIT:B MT40A512M16JY-07EAIT:B - 8Gb DDR4 SDRAM 512Mx16 | Micron

MT40A512M16JY-07EAIT:B - 8Gb DDR4 SDRAM 512Mx16 | Micron

MT40A512M16JY-07EAIT:B ✓ 生産中

仕様比較

パラメータ NT5CC256M16DP-DI MT40A512M16JY-07EAIT:B
ブランド Nanya Technology Micron Technology
カテゴリ Memory ICs Memory ICs
ライフサイクル状態 有効 有効
在庫状況 In Stock In Stock
単価(USD) $6.50 $8.10
メモリタイプ DDR3L SDRAM DDR4 SDRAM
Density 4Gb —
メモリ構成 256M x 16 512M x 16
電源電圧 1.35V —
データレート 1600 Mbps/pin (800MHz) 2666 MT/s
パッケージ VFBGA-96 96-FBGA (8x14)
動作温度範囲 -40°C to +95°C (industrial) -40°C to +105°C (AIT grade)
CASレイテンシ 11, 12, 13 (programmable) —
Burst Length 8, 4 (with burst chop) —
Number of Banks 8 —
インターフェース Differential clock (CK, CK#) Parallel
Refresh Auto-refresh and self-refresh —
On-Die Termination Yes (ODT) —
RoHS Compliant Compliant
Lead-Free Yes —
メモリサイズ — 8 Gbit
Clock Frequency — 1.33 GHz
Supply Voltage (VDD/VDDQ) — 1.2V ±60mV
VPP Voltage — 2.5V, -125mV, +250mV
Refresh Time — 64ms at -40°C to 85°C, 32ms at >85°C to 95°C, 16ms at >95°C to 105°C
I/O Type — 1.2V pseudo open-drain
VREFDQ — On-die, internal, adjustable
AEC-Q100 — Qualified (AIT suffix)

データシート&リソース

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