NT5CC256M16DP-DI vs MT40A512M16JY-07EAIT:B 对比

详细并排对比 NT5CC256M16DP-DI 出自 Nanya Technology 和 MT40A512M16JY-07EAIT:B 出自 Micron Technology。对比关键规格、电气参数、封装、生命周期状态、价格和供货情况,以确定最适合您设计需求的元器件。

Nanya Technology
NT5CC256M16DP-DI NT5CC256M16DP-DI - 4Gb DDR3L SDRAM 256Mx16 | Nanya

NT5CC256M16DP-DI - 4Gb DDR3L SDRAM 256Mx16 | Nanya

NT5CC256M16DP-DI ✓ 量产中
Micron Technology
MT40A512M16JY-07EAIT:B MT40A512M16JY-07EAIT:B - 8Gb DDR4 SDRAM 512Mx16 | Micron

MT40A512M16JY-07EAIT:B - 8Gb DDR4 SDRAM 512Mx16 | Micron

MT40A512M16JY-07EAIT:B ✓ 量产中

规格对比

参数 NT5CC256M16DP-DI MT40A512M16JY-07EAIT:B
品牌 Nanya Technology Micron Technology
分类 Memory ICs Memory ICs
生命周期状态 有效 有效
库存状态 有库存 有库存
单价(USD) $6.50 $8.10
存储器类型 DDR3L SDRAM DDR4 SDRAM
Density 4Gb —
存储组织 256M x 16 512M x 16
电源电压 1.35V —
数据速率 1600 Mbps/pin (800MHz) 2666 MT/s
封装 VFBGA-96 96-FBGA (8x14)
工作温度范围 -40°C to +95°C (industrial) -40°C to +105°C (AIT grade)
CAS 延迟 11, 12, 13 (programmable) —
Burst Length 8, 4 (with burst chop) —
Number of Banks 8 —
接口 Differential clock (CK, CK#) Parallel
Refresh Auto-refresh and self-refresh —
On-Die Termination Yes (ODT) —
RoHS Compliant Compliant
Lead-Free Yes —
存储容量 — 8 Gbit
Clock Frequency — 1.33 GHz
Supply Voltage (VDD/VDDQ) — 1.2V ±60mV
VPP Voltage — 2.5V, -125mV, +250mV
Refresh Time — 64ms at -40°C to 85°C, 32ms at >85°C to 95°C, 16ms at >95°C to 105°C
I/O Type — 1.2V pseudo open-drain
VREFDQ — On-die, internal, adjustable
AEC-Q100 — Qualified (AIT suffix)

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