W971GG6SB25I vs MT47H64M16HR-25E IT:H 比較

詳細な並列比較: W971GG6SB25I メーカー: Winbond および MT47H64M16HR-25E IT:H メーカー: Micron Technology。主要仕様、電気的特性、パッケージ、ライフサイクルステータス、価格、在庫状況を比較して、設計要件に最適な部品を判断してください。

Winbond
W971GG6SB25I W971GG6SB25I - 1Gbit DDR2 SDRAM | Winbond | 84-WBGA

W971GG6SB25I - 1Gbit DDR2 SDRAM | Winbond | 84-WBGA

W971GG6SB25I ✓ 生産中
Micron Technology
MT47H64M16HR-25E IT:H MT47H64M16HR-25E IT:H - 1Gb DDR2 SDRAM 400MHz 84-FBGA | Micron

MT47H64M16HR-25E IT:H - 1Gb DDR2 SDRAM 400MHz 84-FBGA | Micron

MT47H64M16HR-25E IT:H ✓ 生産中

仕様比較

パラメータ W971GG6SB25I MT47H64M16HR-25E IT:H
ブランド Winbond Micron Technology
カテゴリ Memory ICs Memory ICs
ライフサイクル状態 有効 有効
在庫状況 In Stock In Stock
単価(USD) $1.48 $2.21
メモリタイプ Volatile, DDR2 SDRAM DDR2 SDRAM (volatile)
Density 1 Gbit (1,073,741,824 bits) —
メモリ構成 8M words × 8 banks × 16 bits 8 Meg x 16 x 8 banks
Maximum Data Rate 400 MT/s (DDR2-800) —
Clock Frequency 200 MHz 400 MHz
Random Access Time 57.5 ns —
Bus Width 16 bits —
Supply Voltage (VDD / V_DDQ) 1.8 V (JEDEC SSTL-18) —
インターフェースタイプ Parallel, SSTL-18 —
動作温度 -40 °C to +85 °C (industrial) -40C to +85C (Industrial, IT:H)
Package Type 84-WBGA / 84-TFBGA, 8.0 × 12.5 mm —
実装タイプ Surface Mount —
Number of Pins / Balls 84 —
Bank Count 8 —
On-Die Termination (ODT) Yes (per JEDEC DDR2) —
Refresh Auto-refresh and self-refresh —
Speed Grade Suffix 25I (DDR2-800 6-6-6, industrial) —
Compliance JEDEC DDR2 standard —
RoHS ステータス Compliant (lead-free) Compliant (lead-free)
メモリサイズ — 1 Gbit (64M x 16)
Access Time — 400 ps
Data Rate (effective) — 800 MT/s
インターフェース — Parallel (byte-wide)
Prefetch Architecture — 4n-bit
Supply Voltage VDD — 1.8 V ±0.1 V
Supply Voltage VDDQ — 1.8 V ±0.1 V (SSTL_18)
I/O Standard — JEDEC SSTL_18-compatible
Data Strobe — Differential (DQS, DQS#)
パッケージ — 84-TFBGA (8 mm x 12.5 mm)

データシート&リソース

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