1EDN7512GXTMA1 vs 2EDN7533RXTMA1 비교

다음의 상세 나란히 비교: 1EDN7512GXTMA1 제조: Infineon 및 2EDN7533RXTMA1 제조: Infineon. 주요 사양, 전기적 파라미터, 패키징, 수명 주기 상태, 가격 및 재고를 비교하여 설계 요구 사항에 가장 적합한 부품을 결정하십시오.

Infineon
1EDN7512GXTMA1 1EDN7512GXTMA1 - 4A/8A Low-Side Gate Driver | Infineon

1EDN7512GXTMA1 - 4A/8A Low-Side Gate Driver | Infineon

1EDN7512GXTMA1 ✓ 활성

사양 비교

파라미터 1EDN7512GXTMA1 2EDN7533RXTMA1
브랜드 Infineon Infineon
카테고리 Power MOSFET Drivers Power MOSFET Drivers
수명 주기 상태 활성 활성
재고 상태 In Stock In Stock
단가 (USD) $0.82 $0.55
기능 Low-side gate driver, single channel Dual-channel low-side gate driver
Peak Source Current 4 A —
Peak Sink Current 8 A —
출력 수 1 —
Logic Inputs Inverting and Non-Inverting —
Propagation Delay (typical) 19 ns —
입력 전압 범위 [DATA_NEEDED: VCC range] —
Input Robustness (negative) -10 V —
상승 시간 [DATA_NEEDED: typical tr] —
하강 시간 [DATA_NEEDED: typical tf] —
UVLO [DATA_NEEDED: UVLO threshold] —
동작 온도 범위 -40 C to +125 C —
패키지 PG-WSON-6-1 (6-pin WSON with exposed pad) PG-TSSOP-8 (HTSSOP) with exposed pad
실장 유형 Surface Mount Surface Mount
MSL 레벨 [DATA_NEEDED: MSL rating] —
RoHS 상태 Compliant Compliant
Lead-Free Yes —
Number of Channels — 2
Input Polarity — Inverting
Peak Source/Sink Output Current — 5 A
Output Resistance (Pull-up, typ.) — 0.5 ohm
Output Resistance (Pull-down, typ.) — 0.3 ohm
Propagation Delay (typ.) — 19 ns
Channel-to-Channel Delay Matching — 1.3 ns (typ.)
Rise/Fall Time — 1.7 ns / 1.5 ns (typ., 1 nF load)
Input Logic Compatibility — LV-TTL
Input Voltage Tolerance — -12 V to +22 V
Supply Voltage VDD (recommended) — 4.5 V to 20 V
Supply Voltage VDD (absolute max) — 25 V
Under-Voltage Lockout — Yes (per channel)
동작 접합 온도 — -40 C to +150 C

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