2N7002L vs BSS138NH6327XTSA2 비교

다음의 상세 나란히 비교: 2N7002L 제조: onsemi 및 BSS138NH6327XTSA2 제조: Infineon. 주요 사양, 전기적 파라미터, 패키징, 수명 주기 상태, 가격 및 재고를 비교하여 설계 요구 사항에 가장 적합한 부품을 결정하십시오.

Infineon
BSS138NH6327XTSA2 BSS138NH6327XTSA2 - 60V N-Ch MOSFET 230mA SOT-23 | Infineon

BSS138NH6327XTSA2 - 60V N-Ch MOSFET 230mA SOT-23 | Infineon

BSS138NH6327XTSA2 ✓ 활성

사양 비교

파라미터 2N7002L BSS138NH6327XTSA2
브랜드 onsemi Infineon
카테고리 MOSFETs MOSFETs
수명 주기 상태 활성 활성
재고 상태 In Stock In Stock
단가 (USD) $0.03 $0.15
트랜지스터 유형 N-Channel Enhancement Mode MOSFET —
Drain-Source Voltage (VDS) 60 V —
Continuous Drain Current (ID) 115 mA (Ta) —
On-State Resistance (RDS(on)) 7.5 ohm max at VGS = 5V —
Gate-Source Voltage (VGS) +/-20 V —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) 1 V to 2.5 V —
Power Dissipation (PD) 200 mW (Ta), 225 mW max —
Technology High cell density trench MOSFET —
실장 유형 Surface Mount Surface Mount
패키지 SOT-23 (SOT-23-3) PG-SOT-23 (3-pin)
Configuration Single FET —
Switching Performance Fast switching, rugged and reliable —
Gate Drive 5V logic-level enhancement mode —
Typical Applications Low-side switching, servo motor control, gate driving, logic-level shifting —
Manufacturer onsemi —
RoHS 상태 [DATA_NEEDED: RoHS status] —
Polarity — N-Channel
Operating Mode — Enhancement
V(BR)DSS (Drain-Source Breakdown Voltage) — 60 V
R_DS(on) max @ V_GS=10V — 3.5 ohm
Continuous Drain Current (Ta) — 230 mA
Power Dissipation (Ta) — 360 mW
Gate Threshold V_GS(th) — [DATA_NEEDED: typical V_GS(th) value]
동작 온도 범위 — [DATA_NEEDED: Tj max and operating range]
Gate-Source Voltage V_GS max — ±20 V
dv/dt Rated — Yes
할로겐 프리 — Yes (per IEC 61249-2-21)
RoHS Compliance — Compliant
AEC-Q101 Qualification — Qualified
Lead Plating — Pb-free
Marking Code — [DATA_NEEDED: top-side marking code]
Packaging — Tape and Reel

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