2SJ74 vs 2SJ74-GR 비교

다음의 상세 나란히 비교: 2SJ74 제조: Toshiba 및 2SJ74-GR 제조: Toshiba. 주요 사양, 전기적 파라미터, 패키징, 수명 주기 상태, 가격 및 재고를 비교하여 설계 요구 사항에 가장 적합한 부품을 결정하십시오.

사양 비교

파라미터 2SJ74 2SJ74-GR
브랜드 Toshiba Toshiba
카테고리 Transistors Transistors
수명 주기 상태 수명 종료 수명 종료
재고 상태 In Stock In Stock
단가 (USD) $1.25 $0.00
Device Type P-Channel JFET (junction type) —
Drain-Gate Voltage (VGDS) -25 V —
Drain Current (ID) 20 mA —
Primary Application Low-noise audio amplifier —
Recommended Use First stages of EQ amplifiers and M.C. head amplifiers —
패키지 TO-92 (lead formed) 2-5F1D (SC-43), 3 PIN
실장 유형 Through Hole Through Hole
Configuration Single JFET Single FET
Channel Type P-Channel —
Technology Silicon junction JFET Silicon P Channel Junction Type
Grading Ranks GR, BL (by IDSS range) —
IDSS Range [DATA_NEEDED: IDSS range by rank] —
Gate-Source Cutoff Voltage (VGS(off)) [DATA_NEEDED: VGS(off)] [DATA_NEEDED: gate-source cutoff voltage]
Input Capacitance (Ciss) [DATA_NEEDED: Ciss] [DATA_NEEDED: input capacitance]
Total Power Dissipation (PD) [DATA_NEEDED: PD] —
동작 온도 [DATA_NEEDED: operating temperature range] —
Lead Finish Pb (per Mouser 2SJ74-BL listing) —
Compliance [DATA_NEEDED: RoHS/REACH status] —
Polarity — P-Channel
트랜지스터 유형 — JFET (Junction Field-Effect Transistor)
Maximum Power Dissipation (PD) — 400 mW
Number of Units in IC — 1
Grade Suffix — GR (Idss grade classification)
Recommended Application — First stages of EQ amplifiers and M.C. head amplifiers
Gate-Drain Breakdown Voltage (VGDS) — [DATA_NEEDED: gate-drain breakdown voltage]
Drain-Source Voltage (VDSS) — [DATA_NEEDED: drain-source voltage]
Zero-Gate Drain Current (IDSS) — [DATA_NEEDED: IDSS range for GR grade]
동작 온도 범위 — [DATA_NEEDED: operating temperature range]

데이터시트 & 자료

모든 제품 보기 BOM 생성 견적 요청