AT45DB041D-SU vs M25P16-VMN3TPB 비교

다음의 상세 나란히 비교: AT45DB041D-SU 제조: Renesas Electronics 및 M25P16-VMN3TPB 제조: Micron Technology. 주요 사양, 전기적 파라미터, 패키징, 수명 주기 상태, 가격 및 재고를 비교하여 설계 요구 사항에 가장 적합한 부품을 결정하십시오.

Renesas Electronics
AT45DB041D-SU AT45DB041D-SU - 4Mbit SPI DataFlash 66MHz 8-SOIC | Renesas

AT45DB041D-SU - 4Mbit SPI DataFlash 66MHz 8-SOIC | Renesas

AT45DB041D-SU ✓ 활성
Micron Technology
M25P16-VMN3TPB M25P16-VMN3TPB - 16Mbit SPI NOR Flash 75MHz | Micron

M25P16-VMN3TPB - 16Mbit SPI NOR Flash 75MHz | Micron

M25P16-VMN3TPB ✓ 활성

사양 비교

파라미터 AT45DB041D-SU M25P16-VMN3TPB
브랜드 Renesas Electronics Micron Technology
카테고리 Memory ICs Memory ICs
수명 주기 상태 활성 활성
재고 상태 In Stock In Stock
단가 (USD) $0.92 $0.63
메모리 유형 DataFLASH NOR NOR Flash (Serial SPI)
Memory Format FLASH —
Density 4 Mbit (4,325,376 bits) —
메모리 구성 2,048 pages x 264 bytes (binary) or 256 bytes (standard) 2 Mbyte x 8
인터페이스 SPI, RapidS (SPI modes 0 and 3) SPI Serial
최대 클록 주파수 66 MHz 75 MHz
공급 전압 2.7 V to 3.6 V 2.7 V to 3.6 V (single supply)
SRAM Data Buffers 2 x 264 bytes —
Page Program Time [DATA_NEEDED: page program time] 0.64 ms typ (256-byte page)
Endurance 100,000 program/erase cycles per page —
Data Retention 20 years minimum —
Security Register 128 bytes —
동작 온도 [DATA_NEEDED: operating temperature range] -40C to +85C
패키지 8-pin SOIC (150 mil, EIAJ) 8-SOIC (3.90 mm width, 150 mil)
실장 유형 Surface Mount Surface Mount
RoHS 상태 Compliant [DATA_NEEDED: RoHS status]
Lead-Free Yes —
메모리 크기 — 16 Mbit (2 M x 8)
Access Time — 15 ns
Sector Erase Time — 0.6 s typ (512 Kbit sector)
Bulk Erase Time — 13 s typ (16 Mbit)
Sector Count — 32 sectors of 64 Kbyte
Write Protection — Advanced write-protection mechanisms
Packaging — Tape & Reel (TPB suffix)

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