BAP64-03,115 vs BAP51-03,115 비교

다음의 상세 나란히 비교: BAP64-03,115 제조: NXP Semiconductors 및 BAP51-03,115 제조: NXP Semiconductors. 주요 사양, 전기적 파라미터, 패키징, 수명 주기 상태, 가격 및 재고를 비교하여 설계 요구 사항에 가장 적합한 부품을 결정하십시오.

NXP Semiconductors
BAP64-03,115 BAP64-03,115 - 175V Silicon PIN Diode SOD-323 | NXP

BAP64-03,115 - 175V Silicon PIN Diode SOD-323 | NXP

BAP64-03,115 ✗ 단종
NXP Semiconductors
BAP51-03,115 BAP51-03,115 - 50V RF PIN Diode SOD-323 AEC-Q101 | NXP

BAP51-03,115 - 50V RF PIN Diode SOD-323 AEC-Q101 | NXP

BAP51-03,115 ✗ 단종

사양 비교

파라미터 BAP64-03,115 BAP51-03,115
브랜드 NXP Semiconductors NXP Semiconductors
카테고리 Diodes Diodes
수명 주기 상태 수명 종료 수명 종료
재고 상태 In Stock In Stock
단가 (USD) $0.09 $0.17
Device Type Silicon PIN diode (RF) —
기능 Current-controlled RF resistor for attenuators and switches —
Reverse Voltage (VR) 175 V 50 V
Forward Current (IF) 100 mA 50 mA
Power Dissipation 500 mW —
Diode Capacitance (Cd) max 0.35 pF —
Forward Resistance (RF resistance @ IF) 0.7 ohm —
Series Inductance Low (per NXP feature list) —
Configuration Single PIN diode —
패키지 SOD-323 (SC-76) SOD-323 (SC-76), 2-pin
실장 유형 Surface Mount Surface Mount
Terminals 2 (gull-wing, dual) —
할로겐 프리 Compliant —
RoHS 상태 Compliant (,115 ordering suffix) [DATA_NEEDED: RoHS status]
Standard Pack Quantity 3000 (7 inch reel) —
수명 주기 상태 End of Life (per NXP product page) —
Diode Type — RF PIN diode, single
Application Category — General RF applications
전력 손실 (Ptot) — 500 mW
Diode Capacitance (Cd) max @ VR, f — 0.55 pF
Forward Resistance (Rs) @ IF — 5.5 ohm
동작 온도 범위 — -65 C to +150 C
Automotive Qualification — AEC-Q101 qualified
Package Body Dimensions — 1.7 mm x 1.25 mm x 0.95 mm
Lead Pitch — 1.3 mm
Terminal Form — Gull wing
Shipping Packaging — Tape and Reel
Forward Voltage (VF) max — [DATA_NEEDED: forward voltage]

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