BSC009NE2LS5IATMA1 vs BSC009NE2LSATMA1 비교

다음의 상세 나란히 비교: BSC009NE2LS5IATMA1 제조: Infineon 및 BSC009NE2LSATMA1 제조: Infineon. 주요 사양, 전기적 파라미터, 패키징, 수명 주기 상태, 가격 및 재고를 비교하여 설계 요구 사항에 가장 적합한 부품을 결정하십시오.

사양 비교

파라미터 BSC009NE2LS5IATMA1 BSC009NE2LSATMA1
브랜드 Infineon Infineon
카테고리 MOSFETs MOSFETs
수명 주기 상태 활성 활성
재고 상태 In Stock In Stock
단가 (USD) $1.02 $1.38
Manufacturer Part Number BSC009NE2LS5IATMA1 —
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Technology OptiMOS™ 5 (25V/30V family) MOSFET (Metal Oxide)
트랜지스터 유형 N-Channel MOSFET —
Configuration Single with built-in diode —
Drain-Source Voltage (V_DS) max 25 V —
Gate-Source Voltage (V_GS) max 20 V —
Gate-Threshold Voltage V_GS(th) typ 1.7 V (range 1.0-2.0 V) —
R_DS(on) max @ V_GS=10V 0.95 mΩ —
Continuous Drain Current (I_D) @ T_A=25°C 40 A —
Continuous Drain Current (I_D) @ T_C=25°C 217 A (pulsed, datasheet rating) —
Power Dissipation (P_D) @ T_A 2.5 W —
Power Dissipation (P_D) @ T_C 74 W —
Total Gate Charge (Q_G) typ 23 nC @ V_GS=0-4.5V —
Input Capacitance (C_iss) typ 3200 pF —
동작 온도 범위 -55°C to +150°C -55C to +150C (TJ)
패키지 PG-TDSON-8-7 (SuperSO8 5x6 mm) —
실장 유형 Surface Mount Surface Mount
MSL 레벨 1 (per JEDEC J-STD-020) 1
Terminal Finish Matte Tin (e3 per JESD-609) —
Number of Terminals 8 —
RoHS 상태 Compliant Compliant
Series — OptiMOS 25V
FET Type — N-Channel
Drain-Source Voltage (V_DS) — 25 V
Continuous Drain Current (I_D) at T_a — 41 A
Continuous Drain Current (I_D) at T_c — 100 A (Mouser listing), 255 A pulsed (DigiKey)
Pulsed Drain Current (I_DM) — 255 A
R_DS(on) Max @ V_GS=10V — 0.9 mOhm
Power Dissipation (T_a) — 2.5 W
Power Dissipation (T_c) — 96 W
Gate Threshold Voltage V_GS(th) Typ — [DATA_NEEDED: V_GS(th) typical value]
패키지 / 케이스 — PG-TDSON-8-7 (TDSON-8 FL)
핀 수 — 8

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