BSC014N04LSIATMA1 vs BSC0901NSATMA1 비교

다음의 상세 나란히 비교: BSC014N04LSIATMA1 제조: Infineon 및 BSC0901NSATMA1 제조: Infineon. 주요 사양, 전기적 파라미터, 패키징, 수명 주기 상태, 가격 및 재고를 비교하여 설계 요구 사항에 가장 적합한 부품을 결정하십시오.

Infineon
BSC014N04LSIATMA1 BSC014N04LSIATMA1 - 40V 100A OptiMOS N-FET | Infineon

BSC014N04LSIATMA1 - 40V 100A OptiMOS N-FET | Infineon

BSC014N04LSIATMA1 ✓ 활성

사양 비교

파라미터 BSC014N04LSIATMA1 BSC0901NSATMA1
브랜드 Infineon Infineon
카테고리 MOSFETs MOSFETs
수명 주기 상태 활성 활성
재고 상태 In Stock In Stock
단가 (USD) $0.39 $0.78
FET Type N-Channel —
Technology OptiMOS 5 (trench, thin-wafer) N-Channel Trench MOSFET (OptiMOS)
Drain-Source Voltage (VDS) 40 V —
Continuous Drain Current (ID, Tc) 100 A —
Continuous Drain Current (ID, Ta) 31 A —
Pulsed Drain Current (IDM) [DATA_NEEDED: pulsed IDM rating] —
RDS(on) max at VGS=10 V 1.4 mOhm —
Gate-Source Voltage (VGS) max [DATA_NEEDED: VGS absolute maximum] —
Gate Threshold Voltage (VGS(th) typ) [DATA_NEEDED: VGS(th) typical] —
Power Dissipation (PD, Tc) 96 W —
Power Dissipation (PD, Ta) 2.5 W —
동작 온도 범위 -55 C to +150 C -55C to +150C
패키지 PG-TDSON-8 FL (TDSON-8 with exposed drain pad) TDSON-8-5 (PG-TDSON-8-5) / SuperSO8 5x6 mm
실장 유형 Surface Mount Surface Mount
MSL 레벨 1 (per JEDEC J-STD-020) —
RoHS 상태 Compliant Compliant
Tradename OptiMOS —
Manufacturer — Infineon Technologies
Part Family — OptiMOS 30V
Drain-to-Source Voltage (VDS) Max — 30 V
Continuous Drain Current (ID) at Tc — 100 A
Continuous Drain Current (ID) at Ta — 28 A
On-State Resistance RDS(on) Max at VGS=10V — 1.9 mOhm
On-State Resistance RDS(on) Typ at VGS=10V — [DATA_NEEDED: RDS(on) typical]
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) — [DATA_NEEDED: VGS(th)]
Gate Charge (Qg) Typ — [DATA_NEEDED: Qg total]
Avalanche Energy (EAS) — 80 mJ
Power Dissipation (PD) at Tc — 69 W
Power Dissipation (PD) at Ta — 2.5 W
습도 민감도 레벨 (MSL) — 1
Built-in Body Diode — Yes
Configuration — Single N-Channel with Built-in Diode

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