BSC020N03LSGATMA1 vs BSC030N03LSGATMA1 비교

다음의 상세 나란히 비교: BSC020N03LSGATMA1 제조: Infineon 및 BSC030N03LSGATMA1 제조: Infineon. 주요 사양, 전기적 파라미터, 패키징, 수명 주기 상태, 가격 및 재고를 비교하여 설계 요구 사항에 가장 적합한 부품을 결정하십시오.

사양 비교

파라미터 BSC020N03LSGATMA1 BSC030N03LSGATMA1
브랜드 Infineon Infineon
카테고리 MOSFETs MOSFETs
수명 주기 상태 활성 활성
재고 상태 In Stock In Stock
단가 (USD) $0.42 $0.38
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Series OptiMOS 3 OptiMOS 3
FET Type N-Channel N-Channel
Drain-Source Voltage (VDS) 30 V —
Continuous Drain Current (ID) at Ta=25C 28 A —
Continuous Drain Current (ID) at Tc=25C 100 A —
Pulsed Drain Current (IDM) [DATA_NEEDED: pulsed drain current value] —
Gate-Source Voltage (VGS) +/-20 V —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) 1 V to 2.2 V (typical range, per datasheet) —
On-State Resistance (RDS(on)) at VGS=10V approximately 2.0 mOhm —
Power Dissipation (PD) at Ta=25C 2.5 W —
Power Dissipation (PD) at Tc=25C 96 W —
동작 온도 범위 -55 C to +150 C (junction) —
패키지 / 케이스 PG-TDSON-8-1 (TDSON EP, 5 mm x 6 mm) —
실장 유형 Surface Mount Surface Mount
Packaging Tape & Reel —
RoHS 상태 Compliant Compliant
MSL 레벨 1 (per JEDEC J-STD-020, per Infineon datasheet) 1
Drain-Source Voltage (Vdss) — 30 V
Continuous Drain Current (Id) @ Tc=25C — 100 A
Continuous Drain Current (Id) @ Ta=25C — 23 A
RDS(on) Max @ VGS=10V — 3 mOhm
RDS(on) Max @ VGS=4.5V — [DATA_NEEDED: typical RDS(on) at VGS=4.5V]
Gate Threshold Voltage (Vgs th) Typ — 2.2 V
Gate Charge (Qg) Typ @ VGS=15V — 55 nC
Output Charge (Qoss) — 66 pF
Input Capacitance (Ciss) Typ — 4.3 nF
Power Dissipation (Pd) @ Ta=25C — 2.5 W
Power Dissipation (Pd) @ Tc=25C — 69 W
동작 접합 온도 — -55C to +150C
패키지 — PG-TDSON-8-1 (SuperSO8 5x6 mm)
Avalanche Rated — Yes (100% tested)

데이터시트 & 자료

모든 제품 보기 BOM 생성 견적 요청