BSC027N04LSGATMA1 vs BSC150N03LDGATMA1 비교

다음의 상세 나란히 비교: BSC027N04LSGATMA1 제조: Infineon 및 BSC150N03LDGATMA1 제조: Infineon. 주요 사양, 전기적 파라미터, 패키징, 수명 주기 상태, 가격 및 재고를 비교하여 설계 요구 사항에 가장 적합한 부품을 결정하십시오.

사양 비교

파라미터 BSC027N04LSGATMA1 BSC150N03LDGATMA1
브랜드 Infineon Infineon
카테고리 MOSFETs MOSFETs
수명 주기 상태 활성 활성
재고 상태 In Stock In Stock
단가 (USD) $0.54 $0.46
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Product Family OptiMOS 3 —
트랜지스터 유형 N-Channel MOSFET —
Drain-Source Voltage (VDS) 40 V —
Gate-Source Voltage (VGS) max ±20 V —
Continuous Drain Current (ID) at Ta=25°C 24 A —
Continuous Drain Current (ID) at Tc=25°C 100 A —
Pulsed Drain Current (IDM) [DATA_NEEDED: pulsed drain current] —
On-Resistance RDS(on) max @ VGS=10V 2.7 mΩ —
Power Dissipation (Ta=25°C) 2.5 W —
전력 손실 (TC=25°C) 83 W —
동작 온도 범위 -55°C to +150°C —
패키지 PG-TDSON-8-1 (SuperSO8 5x6) PG-TDSON-8-4 (5x6 mm)
실장 유형 Surface Mount Surface Mount
Technology OptiMOS 3 (Trench) —
MSL 레벨 1 1
RoHS 상태 Compliant Compliant
할로겐 프리 Yes Yes
Series — OptiMOS 3
Configuration — Dual N-Channel MOSFET Array (half-bridge)
Drain-Source Voltage (Vds) — 30 V
Continuous Drain Current (Id) @ TA=25C — 20 A
Continuous Drain Current (Id) @ TA=70C — [DATA_NEEDED: Id at TA=70C]
Pulsed Drain Current (Idm) — [DATA_NEEDED: Idm]
Gate-Source Voltage (Vgs) — ±20 V
Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) — 1.0 V to 2.5 V
On-State Resistance (Rds(on)) @ Vgs=10V — [DATA_NEEDED: typical Rds(on) mOhm]
On-State Resistance (Rds(on)) @ Vgs=4.5V — [DATA_NEEDED: typical Rds(on) mOhm]
Total Gate Charge (Qg) — [DATA_NEEDED: typical Qg nC]
Gate-Drain Charge (Qgd) — [DATA_NEEDED: typical Qgd nC]
Output Charge (Qoss) — [DATA_NEEDED: typical Qoss nC]
Power Dissipation (Pd) — 26 W
동작 접합 온도 — -55C to +150C

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