BSC028N06NSTATMA1 vs BSC034N06NSATMA1 비교

다음의 상세 나란히 비교: BSC028N06NSTATMA1 제조: Infineon 및 BSC034N06NSATMA1 제조: Infineon. 주요 사양, 전기적 파라미터, 패키징, 수명 주기 상태, 가격 및 재고를 비교하여 설계 요구 사항에 가장 적합한 부품을 결정하십시오.

Infineon
BSC034N06NSATMA1 BSC034N06NSATMA1 - 60V 100A 3.4mOhm N-Ch MOSFET | Infineon

BSC034N06NSATMA1 - 60V 100A 3.4mOhm N-Ch MOSFET | Infineon

BSC034N06NSATMA1 ✓ 활성

사양 비교

파라미터 BSC028N06NSTATMA1 BSC034N06NSATMA1
브랜드 Infineon Infineon
카테고리 MOSFETs MOSFETs
수명 주기 상태 활성 활성
재고 상태 In Stock In Stock
단가 (USD) $0.40 $0.65
Manufacturer Infineon Technologies —
Series OptiMOS 5 —
Part Number Base BSC028N06NS —
Technology MOSFET N-Channel (OptiMOS 5) OptiMOS 5
Drain-Source Voltage (VDS) 60 V 60 V
Continuous Drain Current (ID) at TA=25C 24 A —
Continuous Drain Current (ID) at TC=25C 100 A 100 A
On-Resistance RDS(on) max at VGS=10V 2.8 mOhm 3.4 mOhm
Gate Threshold Voltage VGS(th) typ 2.5 V to 3.5 V —
Total Gate Charge Qg 37 nC @ VGS=10V —
Input Capacitance Ciss 3000 nC [DATA_NEEDED: confirm exact pF from datasheet] —
Output Capacitance Coss 825 pF —
Reverse Transfer Capacitance Crss 56 pF —
Power Dissipation (TA) 3 W —
Power Dissipation (TC) 100 W —
동작 접합 온도 -55C to +175C —
패키지 PG-TDSON-8-7 (SuperSO8, 5x6 mm) PG-TDSON-8-7 (SuperSO8 5x6 mm)
실장 유형 Surface Mount Surface Mount
RoHS 상태 Compliant Compliant
할로겐 프리 Yes —
MSL 레벨 1 [DATA_NEEDED: MSL level]
AEC-Q101 Automotive Qualified [DATA_NEEDED: confirm from datasheet - this is the NS base, automotive grade may differ] —
Polarity — N-Channel
Gate-Source Voltage (VGS) — [DATA_NEEDED: VGS max rating]
Pulsed Drain Current (IDM) — [DATA_NEEDED: IDM]
On-Resistance RDS(on) max at VGS=4.5V — [DATA_NEEDED: RDS(on) at 4.5V]
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) — [DATA_NEEDED: VGS(th)]
Total Gate Charge (Qg) — [DATA_NEEDED: Qg]
Power Dissipation at Ta=25C — 2.5 W
Power Dissipation at Tc=25C — 74 W
동작 온도 범위 — -55C to +150C

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